记忆的识别有些麻烦,因为它们的标签没有特定的、统一的格式。通用标签应包含容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)和电压(2.10V)等信息。这也是最基本的参数。
内存延迟
内存延迟是指系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存的时间。通常用四个连续的阿拉伯数字表示,如“5-6-6-18”。事实上,由于CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用,相互影响程度很大,所以较小的延迟并不一定意味着较高的内存性能,按理说较大的值导致最差的表现。比率参数非常重要。
CASLatency,列地址选通脉冲时间延迟,就是我们俗称的CL值。它是指内存访问数据所需的延迟。简单来说,就是内存接收CPU指令后的响应速度。
RAS-to-CASDelay(tRCD),相当于CAS,RAS代表RowAddressStrobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定内存寻址。RAS(请求数据后首先运行)和CAS(RAS完成后运行)不连续并引入延迟。即,将存储器行地址传输到列地址所需的延迟。
Row-prechargeDelay(tRP)是存储器行地址选通脉冲预充电时间,即从行访问结束到存储器重新启动的时间间隔。
Row-activeDelay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是接收请求和初始化行地址选通脉冲(RAS)以及实际开始接收数据之间的时间间隔。
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