内存延迟cl17喝cl14哪个好

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一、什么是CL值和内存延迟时间?

CL值：CL是CASLatency的缩写，是内存性能的重要指标。这是存储器纵向地址脉冲的响应时间。当计算机需要从内存中读取数据时，在实际读取之前通常会有一个“缓冲期”，“缓冲期”的长度就是这个CL。

内存CL值越低越好。因此，缩短CAS周期有利于加快同频率下内存的工作速度。该CL值还与存储器的工作频率相关。对于相同的内存，如照片中的DDR333内存，CL值为2.5。如果工作频率为266，则CL值可以设置为。2.

详细解释

内存延迟有一个专门的术语，叫做“Latency”。为了清楚地理解延迟，我们不妨将内存想象成一个存储数据的数组，或者一个EXCEL表。为了确定每个数据项的位置，每个数据项都标有行号和列号。序列号，数据唯一。

内存工作时，当要读取或写入一些数据时，内存控制芯片会先传输数据的行地址，并打开RAS信号，然后再转换为数据线。，他必须这么做。经过几个执行周期后，CAS信号被激活。

以上内容参考：-内存延迟

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二、内存时序高好还是低好

对于相同频率的存储器，时序越低越好。

CL-TRCD-TRP(11-11-11)中的计时显示为11小时。1600Mhz内存中的默认时间为11-11-11，1333Mhz中的默认计时为9-9-。9，因此具有9-9-9时序的1600Mhz内存比1600Mhz11-11-11时序更快，谢谢。正常超频，除了将频率从1333更改为1600Mhz外，专家还会更改时间。

基本解释

通用编号“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency(CL值简称）内存CAS延迟时间，这是内存的重要参数之一有些内存品牌会将CL值打印在内存模块标签上（tRCD），地址内存行发送到列地址的延迟时间。

RASPrechargeDelay（tRP），选通脉冲预充电时间存储器线地址；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关心的四种时序调整，大部分内存模组厂商也都计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模组。

5个百分点。

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三、内存延迟是什么?如何查看?内存延迟是选大还是选小好?
1.内存延迟基本上可以解释为系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间。打个比方，就像去餐馆吃饭的过程。你先点餐，然后等待服务员给你送来。
2。CL是CASLatency的缩写，指内存访问数据所需的延迟时间。简单来说，就是内存接收CPU指令后的响应速度。一般参数值为2和3。数字越小，响应时间越短。
3。一般来说，内存频率越高，延迟越大。威刚红威龙DDR2800+CL4-4-4-12是这样标注的，但一般800MB频率是5-5-5-15，667MB频率可能是4-4-4-12。DR2800CL5-5-5-15应该这么好。
4。内存延迟实际上是指系统在内存准备好发送或接收数据之前需要等待多长时间。处理器的等待时间越短，整个机器的性能就越高。
5。内存延迟表示系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间。通常用四个连续的阿拉伯数字表示，例如：例如“3-4-4-8”。，四个数字越靠后，值越大。这四个数字越小，存储性能越好。