指内存时序。
内存的CASLatency(简称CL)CAS延迟是内存的重要参数之一。有些品牌的内存在内存模块标签上印有CL值。RAS-to-CASDelay(tRCD),将内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP),存储器行地址选通脉冲的预充电时间。
Row-activeDelay(tRAS),内存行地址选通延迟,内存时序与内存读写性能有关。理论上,内存同步越低越好,但假设情况确实如此。确保稳定运行。
扩展信息
内存时序
本质上,时序只是描述内存性能的一个参数:CL、TRCD、TRP和特拉斯。通常用阿拉伯数字表示,如上:19-22-22-43。CL对内存性能的影响最为明显。通常,DDR4内存的CL值在15左右,DDR3内存的CL值在5到11之间。
在这四组数字中,第四组有时会被忽略。一般来说,这些数字代表内存延迟。通常,数字越低越好。
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