cjr内存

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一、据说能打三星B-DIE？海力士CJR超频测试

发现超频新星：海力士CJR实测

在当前内存市场，海力士CJR颗粒凭借出色的超频性能和性价比吸引了众多游戏玩家的关注。效力。据称，这款颗粒甚至可以在Ryzen平台上与三星B-DIE竞争，其300元左右的抽奖机会激发了许多发烧友的行动。下面我们来详细了解一下CJR的特点和实际表现。

CJR颗粒实际上是第四代C-DIE，采用18nm工艺。它是曾经热销的MFR系列的后继产品。后者已经停产，已经上市了。我购买的大部分产品都是CJR的2666频率产品。这些颗粒的出现大约会在2018年上半年发生，而MFR的终止可能会在今年下半年发生。CJR的出现似乎填补了市场空白。

CJR目前主要在海力士原厂和金士顿常规产品中提供。威刚虽然有4G版本，但价格并不亲民。经过一个月的努力，终于花300元买了一条海士原装2666内存。这是从联想品牌机上拆下来的A2PCB设计。

CJR颗粒的显着特征是编号“H5AN8G8NCJR”，可以让您一目了然地看到2666频率和制造年份。通过新版Typhoon软件，我们能够准确识别他们的信息，为测试奠定了坚实的基础。

超频测试开始。我们选择RyzenR51600（8核版本）和华硕ROGB450I主板，BIOS版本为1201。在1.35V电压和16-19-19-36时序下，达到内存频率3600。mt烧录后-测试中发现CJR对trcd和trp比较敏感，适当增大这两个参数后，显存频率提升到3800，可以稳定通过测试。这样的性能在Ryzen一代平台上是很少见的。对比我的金士顿Hacker4000，3800的频率只能在C16下才能达到。

令人惊讶的是，随着电压和时序的进一步放宽，CJR能够以4000的频率开启。虽然没有通过测试，但这证明了CJR在Ryzen中具有良好的性能。该平台的最终潜力。与三星B-DIE相比，CJR在内存频率上有明显的优势。

对于在AMD平台上难以提高内存频率的用户来说，CJR提供了新的可能性。4000频率在Intel平台上也不是高不可攀。微星主板的Memorytryit功能可以轻松实现，甚至在更高的预设下也能通过测试。

综上所述，海力士CJR颗粒凭借强大的超频性能展现了实力，在Ryzen平台上超越了三星B-DIE。然而，B-DIE在Intel平台上仍然占据主导地位。在低时序时，CJR和B-DIE之间的差距更加明显。CJR最大的优势在于其成本效益。300元的价格就能买到高品质的2666内存。这在竞争激烈的市场中尤其显着，特别是对于追求成本效率KingofCostEfficiency的AMD用户而言。让AMD平台的游戏玩家大呼“CJR太棒了！”

虽然CJR并非完美无缺，但其独特的性能特点和价格优势无疑给内存市场带来了新的趋势。如果您正在寻找一款性能卓越且价格合理的内存，CJR绝对是值得考虑的选择。

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二、内存颗粒体质排序：CJRJJRAFRMFRB-die特挑？内存颗粒的秘密：显着的性能差异
内存看似普通的硬件，但实际上，对于DIY游戏玩家来说，刷新率和时序调整才是最终目标。尽管3600MHz和2400MHz之间的差异可能可以忽略不计，但对他们来说，数字化的改进才是他们所寻求的满足感。内存超频的三个关键因素是：首先是CPU的IMC设计，每个型号可能会有物理上的差异，就像CPU的IMC也不同一样，其次是主板和BIOS的调优，厂商的技术起着决定性的作用；;最后，记忆颗粒的选择至关重要。
内存颗粒之间的物理差异来自于制造商的多样性和技术实力。全球领先的内存颗粒供应商包括美韩巨头美光、海力士和三星，以及台湾企业南亚、华邦和力晶。每个制造商采用不同的工艺和技术，导致芯片质量参差不齐。即使是同一家厂商，其产品也会随着迭代而更新，就像Hynix的性能从MFR到AFR再到CJR。
现在我们来谈谈传统的内存粒子。海力士的CJR颗粒采用1Xnm工艺，与AMD平台具有出色的兼容性，是超频玩家的首选；而第一颗粒的MFR和AFR在物理性能方面稍差。三星的B-die，其是BCBP系列，是超频界的传奇，但已经停产了。现在A-die和M-die在主流市场上没有表现。美光的E芯片尽管存在缺陷，但因其经济实惠和超频潜力而广受欢迎。
一般来说，选择存储芯片时，海力士CJR、三星SpecialB-die、美光E-dieC9BJZ等是比较好的选择，其他的如MFR、AFR、BigS等。都比较弱。购买时，可以使用ThaiphoonBurner等软件来识别粒子模型并了解其性能。
对于大多数用户来说，内存的选择主要取决于容量和稳定性。对于追求极致性能的DIY游戏玩家来说，了解内存颗粒的秘密尤为重要。请记住，虽然颗粒大小对普通用户影响不大，但对于狂热的游戏玩家来说，选择性能优异的颗粒才是提升体验的关键。

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三、cjr3600内存最佳时序cjr3600内存的最佳时序：3733上的16-20-20优于3600上的16-18-18

内存时序描述了同步动态随机存取存储器（SDRAM）的性能，有四个参数：时钟周期中的CL、TRCD、TRP和TRAS。这些通常写为用破折号分隔的四个数字。下图中列出的16-18-18-36代表了这个内存的时序。（第四个参数经常被省略，但有时会添加第五个参数：Commandrate，通常为2T，也可以为1T、2N、1N。）