内存条16时序和19时序差别(内存条cl16)

低内存时间是好的。

存储器时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，其单位是时钟周期。它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。

该参数决定了影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。数字越低通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位测量。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD(RAStoCASDelay)：将内存行地址发送到tRCD列地址的延迟时间只是一个估计值，这就是为什么对此值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储线地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址激活的时间，可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间，通常接近前三个参数的总和。