DDR3传输速度高达2133MHz;而DDR4的传输速度从2133MHz开始,最高可达4266MHz。
在存储方面,同一单元中的DDR4芯片的存储空间是DDR3的两倍,DDR4最多可以承载8个模块。是DDR3的两倍。如此计算,相同空间内DDR4模组的最大容量是DDR3的4倍。DDR3的标准电源要求是1.5V,DDR4降低到1.2V,专为移动设备设计的低功耗DDR4甚至降低到1.1VDDR4最重要的使命当然是提高频率。和带宽。每个DDR4内存引脚可为DDR4-3200提供2Gbps(256MB/s)带宽,即51.2GB/s,比DDR3-1866高出70%以上。
DDR42133CL15默认频率
DDR42133频率下带宽测试:48.4GB/s
DDR4采用3DS堆叠封装后技术上,单个存储器的容量可以达到现有产品的8倍。比如目前的大容量普通内存单颗容量为8GB(单芯片512MB,共16颗),而DDR4则可以达到64GB甚至128GB,从电压上看,DDR4将采用亚20nm工艺制造。,电压将从DDR3的1.5V增加到DDR4的1.2V。移动版SO-DIM®DR4的电压将降得更低。
总结:
1:DDR4内存模组外观发生明显变化,金手指变得弯曲
2:DDR4内存频率明显提升,达到4266MHz
3:DDR4内存容量显着提升,最高可达128GB
4:DDR4功耗显着降低,电压达到1、2V甚至更低
。。与DDR42133的性能相比,DDR31600内存的理论带宽提升了25%,但滞后时间却落后了7%左右,因此性能的提升远没有提高CPU频率那么明显和高效。
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