使用更高频率的DDR4内存。
DDR4与DDR3最大的区别在于三点:16位预取机制(DDR3为8位),理论速度是同核心频率DDR3速度的两倍更可靠,数据可靠性有较大提高;工作电压降至1.2V,更加节能。
三星电子于2011年1月4日宣布,已完成历史上第一颗DDR4DRAM内存芯片的开发,并采用30纳米工艺制造出第一批样品。
扩展信息:
数据规格:
DDR4内存的标准规格尚未制定确定了。这款三星样品属于UDIMM类型,容量为2GB,工作电压仅为1.2V,工作频率为2133MHz,采用新的电路架构可以达到3200MHz。
相比之下,DDR3内存的标准频率只有1600MHz,工作电压一般为1.5V,省电版也是1.35V。仅此一项,DDR4内存就可以节省高达40%的电量。
按照之前的规划,DDR4内存的最高频率可能会达到4266MHz,电压可能会下降到1.1V甚至1.05V。
三星表示,这款DDR4内存采用了出现在高级显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏)技术,在读写数据时,泄漏率仅与DDR3内存相同。。一半。
参考来源:-DDR4
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