内存工作时序和频率

对于相同频率的记忆，时间越短越好。

时序中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟周期。1600MHz内存中的默认时序为11-11-11，1333MHz内存中的默认时序为9-9-。9，因此具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的1600MHz内存更快。谢谢。正常超频时，除了将频率从1333MHz更改为1600MHz外，专家还会更改时序。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其值为：CASLatency（缩写为CL）内存延迟CAS，它是重要的内存参数之一。某些品牌的内存将CL值打印在内存模块标签(tRCD)上的内存行中。该地址被传递到列地址的延迟时间参数中。

RASPrechargeDelay（tRP），存储线地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟；这是玩家最关心的四种同步设置。它们可以安装在大多数主板的BIOS中。内存制造商还计划发布低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。

在相同频率设置下，最小串行内存模块“2-2-2-5”实际上可以比“3-4-4-8”获得更好的内存性能，范围为3到5个百分点。