ddr4内存读写速度多少正常

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一、sd卡怎么测速才20每秒正常么如何测量SD卡的速度并使其达到20每秒？存储卡是一种存储方式，就像一本书每页可以写多少字，翻书的速度有多快，但最重要的速度是读写速度。有的论文在同一张纸上写字很容易，写字增长得很快，而在上面写字却很慢。存储卡的读写速度与容量无关。存储卡的读写速度与物理硬件有关。将读卡器连接至电脑，USB传输速度会受到影响。

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二、DDR4的相关信息x8表示一颗芯片数据位宽为8位，x16表示一颗芯片数据位宽为16位。x8DDR4有4个Bank组，每个Bank组连接4个Bank。
DDR4有2个x16的bank组，每个bank组连接4个bank
DDR4可以在时钟的上下沿发送数据。因此，在计算传输速度时，需要乘以2。例如，对于DDR42400MT/s。这意味着DDR4每秒可以传输2400M。DDR可以工作在1200M频率。如果DDR4位宽是64bit。那么传输速度就是2400M*64/8=18.75GB/s。如果用户端频率为300M，则位宽为512位。速度可计算为：300M*512/8=18.75GB/s。
设计了银行集团的架构。内存对等频率在此设置中也是一个很大的改进。如内存中设计两组独立的Bank，则相当于每次处理16位数据。
在传统的DDR3设计中，内存和内存控制器使用多点总线连接器。该总线允许多个芯片连接到单个接口。这种设计类似于在道路旁边建造一个仓库，每个方向一次只能通过一对汽车。它一次只允许一对汽车通过。
DDR4放弃了这种设计，转而采用点对点总线。点对点总线的特点是内存控制器每个通道只能支持一条内存，相比多点分支总线，点对点相当于为每个存储设计一条路径。>
如果一次只有两个内存，则GroupFSM正在发送。那么效率就是2/3=66.7%。当4个GroupFSM运行时，效率可以达到100%
RAS的实际启动开始了。一旦tRAS被激活，RAS(RowAddressStrobe)就开始处理所需的数据。首先是行地址，然后启动tRCD，周期结束，并通过CAS在正确的十六进制地址处访问所需的数据。从CAS开始到CAS结束的时间就是CAS延迟。所以CAS是记忆获取信息的最后一步，也是最重要的衡量标准。
数据读取后，存储芯片执行预充电操作以擦除当前工作行，以释放读出放大器来寻址和传输同一存储体中其他行的数据。。我们以上面的银行图为例。当前查看的内存位置是B1、R2和C6。如果下一个地址顺序是B1、R2、C4，则无需提前填充，因为读出放大器正在为该行服务。但如果地址命令是B1、R4和C4，由于它们位于不同的存体行，因此必须先关闭R2，然后才能对R4进行寻址。开始关闭现有工作行和打开新工作行之间的时间间隔为tRP（RowPrechargecommandPeriod，行预充电有效周期），单位是时钟周期数。
init_calib_complete是高精度信号，表示DDR4初始化和校准完成，可以正常接收信号。
控制鼓时钟频率与系统时钟的比例为4比1。