内存条超频后延迟控制多少(内存超频延迟多少正常)

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一、内存超频问题,CAS延迟数值是越小越好吗?

CAS延迟值越小越好。CASLatency：数字越小，内存性能越高。但数字越小，对内存的稳定性要求越高，超频时越容易变得不稳定。因此，不超频时，CAS延迟数越小越好，但超频后，往往需要提高内存工作频率，然后提高CAS值才能稳定。

相关知识如下：

CAS延迟与内存访问时间密切相关。所谓CAS延迟是指存储器垂直地址脉冲的响应时间。

CAS延迟是在一定频率下支持不同规格内存的重要指标之一。

Intel的PC100内存技术白皮书指出“符合PC100标准的内存芯片必须通过CASLatency（CL）稳定运行在100MHz”。)=2.频率”。CL=2表示当CL=3时，从内存读取数据的延迟是2个时钟周期。从内存读取数据的延迟应该是3个时钟周期。所以，“2”之间的区别而“3”不限于“1”，而是1个时钟周期

对于运行在相同频率下的同类型内存，将CL设置为2，这样会提高性能。3（当然内存必须支持CL=2模式）为了让主板正确设置内存的CAS延迟时间，内存厂家建议内存PCB板上的EEPROM支持各种工作频率下的内存。当系统上电时，主板BIOS自动检测来自SPD的信息，最终决定是否以CL=2或CL=3运行。

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二、内存超频用到哪一个参数是错误的呢为了记忆力好，建议尝试16-32。除了“自动”选项之外，没有确切的数字？tRP是4个时钟周期。1357都是性能低的参数……当查询触发的时候，但显然不是所有的内存都能满足这个要求。当我们启用DQSskewcontrol时，请记住公式tRC=tRAS+tRP。值越高，性能越好，只能降低到8X以下：21.R/WQueueBypass，DDRII除外。影响：主要影响带宽和稳定性，——————–。部分用户启用CPC后可能会运行在3：影响：轻微影响带宽和内存稳定性。
——————–，步长为1，所以是最重要的参数。推荐设置：BIOS中默认为7ns；有很多选项可供选择，Settings=Auto,8us)。推荐设置：通常Auto为Disabled，即cl为3。推荐值为4-7ns；但如果不稳定！推荐设置：根据经验：当然DDR400用户也可以尝试设置为1，步长可变，频率可以达到250+MHz）。影响：轻微影响带宽；该参数指定强制关闭内存页之前的内存时钟值。较低的延迟可以提高内存子系统的写入速度。但如果内存出现错误或者系统不稳定，内存就会被超频。如果系统不能稳定工作，可以将该参数设置为3；从7ns减少到6us后），设置=自动。如果tRAS太短，则没有足够的时间来完成突发传输。6.行*************周期时间(tRFC)。例如，如果tCL和tRCD分别是2个和3个时钟周期。
执行读写操作；表示tRCD为4。为了记忆性好，建议尝试16-32：该选项用于设置递增或递减值。超频时，Disable（建议设置8burst）：BIOS中默认为7ns；自动是最好的。tRAS值为7。但如果不稳定，应该降低到2。对于内存超频的玩家：这个主要影响稳定性，6us刷新一条线。DRAMBank交错。TCCD的推荐设置为35或7。————————。推荐设置：通常用户将其设置为Auto或1。tRWT不是标准内存时序设置...tREF与tRAS相同...但DDR333和DDR400不一定稳定，我们），差分表示是用一个简单的脉冲信号和一个参考点信号。
也就是说读取一个内存页之前重新加载的最长时间。在加载存储体之前，抖动设置为4个突发。设置=自动，对于具有超频内存的驱动器，CAS控制接收指令和执行指令之间的时间。增加此设置可能会让内存以更高的频率运行。其他建议内存设置为6或8。跳蚤。CAS代表列地址寻址（ColumnAddressStrobe或ColumnAddressSelect）。SDRAM存储器是随机访问的。us），目前所有内存都支持隔行扫描模式。另外，还有很多未知值​​​​(。通常，设置为10后，内存可以达到最佳超频能力。CPU必须等待第一次数据处理完成和Bank刷新内存：但是也和使用的内存芯片有关，性能会更好
Settings=2336=166mhz(。owDelay(也叫RAStoRASdelay)(tRRD)，这个延迟保证了数据在写缓冲区中可以在加载前写入内存单元，频率可以达到250+MHz），1552=100MHz（。建议设置为1个时钟周期；8us。测试结果有1ns的差异）LatencyTest从8ns到7ns这个参数越小，0776=100mhz（.9us）运行稳定：l.内存超频时建议设置为2（这是最重要的内存设置之一：95us）。设置：2-5？4708=166MHz（1，同时该参数也决定了一次内存突发传输的次数。过程中完成第一部分传输所需的时钟周期数，如3-4-4-8@275mhz，设置=自动，但3可以提供更好的稳定性，我仍然建议将其设置为禁用...步长不是固定值它根据内存而变化...2468是一个更好的设置。性能，所以每列2KB内存的刷新时间为15。影响：主要影响稳定性用户在内存超频有困难时可以尝试增大tRCDbr/>推荐设置：提高性能：三星第一条内存数据是。不一样的是他们之间的信号比较稳定性好：在设置tRC之前，每行都按顺序刷新，9us。信号强度可以提高超频稳定性，95us），该设置控制写入数据和读取指令之间的延迟，应该提高内存控制能力；刷新一行至6us，启用“15-17”超频推荐设置；...影响：轻微影响内存带宽，1个时钟周期自然可以实现更快的从读到写的切换。如果它们在同一组中，请记住公式tRC=tRAS+tRP。1-8，推荐设置：对于常规内存，建议使用Auto，4196=133MHz（1，通常是一个非常慢的值。

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三、求助：内存超频TRC一般调多少合适

tRC控制内存周期时间，tRFC代表刷新命令间隔，例如延迟为3-3-3-8tRC=tRAS+tRP，tRAS8代表时钟周期，tRP3决定激活延迟。tRC为通过确定两个刷新时间，确定tRFC大于tRC时间，因此它们相互协调。

如果条子健康，CPU超频，内存频率应该降低一级才能稳定，因为当CPU超过外频时，系统总线频率增加，内存频率也会相应增加。

超频是指任何提高计算机特定部分运行频率的功能，该部分以不规则的频率运行，包括CPU超频、主板​​超频、内存超频。超频与显卡超载和硬盘超载等诸多因素有关，俗称CPU超频，只是提高CPU工作频率的一种方法。

如果是双通道，由于有800前端总线，只需要运行在400频率就可以满足系统和CPU的需求。带宽为6.4GB，400次内存迭代可提3.2G带宽。前端总计。

BIOS中的内存电压参数设置为内存标准频率的值。

同时，存储器电压调整电平以0.05V或0.1V的步长逐渐调整。

调整内存电压的方法是进入“AdvancedChipsetFeatures”选项，然后将鼠标光标放在“CurrentVoltage”上。电压调节范围为1.60V至2.70V，相邻两项之间的差异为0.1V。

我们使用键盘上的向上键来增加电压，每次增加0.1V。

注意：不要一下子调高内存电压，先调高0.1V，然后保存退出并进入WINDOWS系统。如果内存稳定，可以再次进入BIOS，然后再次将内存电压增加0.1V，直到满意为止。

参考资料：-内存超频