内存条的读取速度是多少(内存条5200和6000差多少)

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一、请问DDR31600和PCI-EX43.0的读写速率是多少？DDR31600MHZ内存条读写速度约为10GB/s（单通道），双通道为双，约为20GB/s
PCIE3.016X的速度为32GB/s，速度X4的容量为8GB/SS

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二、内存的性能指标

内存性能指标包括以下几个方面：

1.存储速度：存储器的存储速度表示为访问一次数据所需的时间，写为1秒=10亿纳秒，即1纳秒。=10ˉ9秒。Ns值越小，访问时间越短，速度越快。

2.容量：内存容量越大，死机的可能性就越小，但受到主板支持的最大容量的限制。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常提供两个或更多内存插槽。如果您有多个内存插槽，则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。

是CASLstency，CAS延迟的缩写，指的是存储器中垂直地址脉冲的响应时间。这是衡量内存各种规格的重要指标之一。具体频率。

芯片SPD是一个8引脚、256字节EERROM（电可擦可编程只读存储器）芯片。该位置通常位于内存条的右前侧。内存等信息速度、容量、电压、行和列地址以及带宽等参数信息。当您打开它时，计算机的BIOS会自动读取写入SPD的信息。

5.工作电压：低压存储器需要比标准电压低1.5V才能稳定工作，因此生产低压存储器对质量要求更高。低电压存储器的优点之一是存储器质量随着工厂制造的程度而降低。因此，高压内存模块与低压内存模块的区别在于，低压内存模块比高压内存模块消耗更少的电力并且更环保。

扩展信息：

内存的结构和原理。

存储器的内部结构是PC芯片中最简单的。它由几个重复的“单元”（细胞）组成。每个单元由一个电容器和一个晶体管（通常是N沟道MOSFET）组成。一个电容可以存储1位数据，充电和放电后的电荷量（电位电平）分别对应二进制数据0和1。

由于电容漏液，使用一定时间后就会失去电荷，导致电位不足而导致数据丢失，所以必须经常充电以维持电位。，动态存储器具有刷新特性，因此这种刷新操作会一直持续到数据改变或者电源关闭为止。

MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于DRAM结构简单，因此可以实现小面积、大存储容量。