内存时序是一个参数,通常存储在内存模块的SPD中。设置方法如下:
1.使用F12进入BIOS并在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”。。
设置中可能出现的其他描述包括“AutomaticConfiguration”、“Auto”、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其设置为“Menu”(取决于BIOS)。是:开/关。或开/关)。
3.内存按行和列寻址。当您运行查询时,它最初是tRAS。
4.预充电后,内存实际上开始初始化RAS。一旦tRAS被激活,RAS(RowAddressStrobe)就开始访问必要的数据。
首先指定字符串地址,然后初始化tRCD,完成循环,然后通过CAS访问所需数据的准确的十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的时间段代表CAS延迟。因此,CAS是数据检索的最后一步,也是最重要的内存参数。
高级信息
最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS,其中大多数符合JEDEC内存标准。以下是配置设置的几种方法:
1.较小的CAS周期可以减少内存延迟并提高内存效率。因此,只要操作系统能够稳定运行,CAS参数就应该设置得尽可能低。
(RASToCASDelay):从存储器行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。该参数有两个选项:2和3。越小越好。
(RASPrechargeTime):存储器线地址控制器预充电时间。该参数有两个选项:2和3。预充电参数越低,存储器读写速度越高。
(RASActiveTime):存储器线可用于预充电的最短时间段。我们还有三个附加选项:5、6或7,但在某些nForce2主板上,选择范围非常广泛。大,最高可以是15,最低可以是1。这个参数最好调整在5到11之间。
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