内存条时序高低有多大区别(ddr4内存时序多少为好)

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一、内存时序高低有什么区别？

内存低是好事。

存储器定时器是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)行为的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，是时钟周期的单位。因为通常有四个由冲突分隔的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时在命令中增加第五个参数（命令速率），通常为2T或1T，也如2N、1N。

这些参数指定影响随机存储器访问速度的延迟（延迟时间）。较小的数字通常意味着更快的结果。决定系统性能的最后一个因素实际上是延迟，通常以纳秒为单位。

慢速内存的参数介绍

CL（CASLatency）：列访问的总时间是时序参数中最大的。

tRCD（RAStoCASDelay）：将电子邮件的内存顺序发送到电子邮件列的延迟时间。tRCD只是一个估计值，这就是为什么我们不会指出此内存性能的略有变化的值。

tRP（RASPrechargeTime）：内存指令电子选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：地址线激活的时间，可以简单理解为从内存中写入或读取数据的时间。它通常接近前三个参数的总和。

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二、内存时序c30和c36的区别C30和C36内存时序之间的差异约为250克。
C30和C36的内存时序相差约250g。C36的物理内存为512GLC30，物理内存设置为256G。粘性内存的区别通常在C36和C30之间，其重量约为250克。
内存时序频率：
CL、T、T、T，单位为时钟周期。它通常写为用破折号分隔的四个数字，当将内存时序转换为实际访问时间时，最需要注意的是它是在时钟周期内完成的。
如果不知道时钟周期时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字快。
例如DDR3至2000内存的时钟频率为1000MHz，其时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL为7会产生7ns的绝对延迟。更快的DDR3至2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可能使用更大的CL9，但最终产生的6.75ns绝对延迟较短。
现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（稳定性降低的风险），或者在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。
请注意，内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率而不是访问时间的限制。通过对SDRAM的多个内部存储体进行交错访问，可以以峰值速率连续传输。
带宽的增加可能会以延迟为代价。具体来说，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常比上一代具有更长的延迟。
即使内存访问延迟增加，增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。