一代内存条与二代区分(内存条ddr2和ddr3的区别)

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一、如何区分DDR1DDR2DDR3内存条？DDR1DDR2DDR3内存模组工艺不同、接口不同、性能不同，并且相互不兼容。今天小编就来教大家如何辨别。
1.图1中的红圈就是我们所说的万无一失的缺口。目的是为了防止我们在安装内存时插错。从图1中我们可以发现，三代内存条上都只有一个防呆槽口。留意这三个卡口左右两侧的金属片，可以发现缺口左右两侧金属片的数量是不同的。
例如，DDR内存一侧有92个金手指（两侧有184个），凹口左侧有52个引脚，凹口右侧有40个引脚；DDR2内存一侧有120个金手指（两侧有240个）。），缺口左侧有64个引脚，缺口右侧有56个引脚；DDR3内存还具有一侧120个金手指（双面240个），凹口左侧72个引脚，凹口右侧48个引脚。
2.延迟值：一代比一代高。
任何内存都有一个CAS延迟值，就像A命令B做某事，B需要同样的时间思考。一般来说，内存的延迟值越小，传输速度越快。从DDR1、DDR2、DDR3内存我们可以看到虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量越来越大，但延迟值​​却增加了。例如DDR内存的延迟值（第一个位值的大小最重要，普通用户可以只关注第一个延迟值）为1.5、2、2.5、3；DDR2时代，延迟值增加到3、4、5、6；在DDR时代，延迟值也不断提高到5、6、7、8甚至更高。
3.我们先来说说第一代记忆棒。使用电压2.5V，频率200、266、333、400，容量128M、256M、512M、1G。当我们拿到内存条时，看到标签上有这些字样，那么它一定是第一代内存条。但现在估计是一代人中罕见的了。
4.第二代内存模块采用1.8V电压，性能相比第一代提升了一倍。其频率为533,667,800。容量有512M、1G、2G。当我们看到标签上有这些字样时，它一定是第二代内存条。第二代内存模块使用时间最长，也应用最广泛。您仍然可以在现代旧机器上看到这一点。单核和双核CPU使用的第二代内存条相对较多。
5.第三代内存条是刚刚被淘汰的内存条，因为现在第四代内存条已经出现了。它使用的电压是1.5V。频率为1066、1333、1600、2133，容量为1333、1600、1866、2G、4G、8G。用于组成双通道时更加流畅。而且，许多计算机仍在使用第三代内存模块。
6.对于红框中的内存芯片来说，DDR1代是大芯片，DDR2和DDR3是小芯片。
7.对于绿盒内存卡插槽，DDR1和DDR2为圆形插槽，DDR3为方形插槽。
8.总结起来就是：DDR1=大片+圆口；DDR2=小片+圆口；DDR3=小片+方口。
9.频率在400MHZ及以下的是第一代内存条。
10、800MHZ及以下为第二代内存条。
11.1000MHZ以上的是第三代内存条。
12.如果您想检查计算机的内存模块，可以使用安全软件进行检查，打开“计算机管理器”，单击“工具箱”。
13.然后点击硬件检测功能，等待加载。
14.然后在来到的界面上，可以直接看到内存的总大小，然后点击内存信息选项。
15.然后在来到的界面上，可以直接看到内存的总大小。

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二、内存条一代和二代有什么区别?DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2的主要改进在于，在内存条速度相同的情况下，可以提供两倍于DDR内存的带宽。集成芯片数量不同，容量不同，频率不同，两者的内存扩展插槽也不同。所以不存在兼容性问题，但是内存插槽支持哪些内存型号呢？母板！！！具体内容如下：
1．延迟问题：
从上表可以看出，在相同核心频率下，DDR2的实际运行频率是DDR的两倍。这是因为DDR2内存的4bIT预读能力是标准DDR内存的两倍。即DDR2和DDR都采用时钟上升和下降延迟期间数据传输的基本方法，但DDR2提前读取系统命令数据的能力是DDR的两倍。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2可以达到400MHz。
这又引发了另一个问题。在相同工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的延迟要慢于前者。例如，DDR200和DDR2-400具有同的延迟，而后者的带宽是DDR2-400的两倍。其实DDR2-400和DDR400的带宽是一样的，都是3.2Gb/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，所以DDR2的延迟为比DDR400高-400。
2.封装和发热量：
DDR2内存技术最大的创新并不是用户认为是DDR两倍的传输能力，而是低发热量和低功耗。凭借低功耗，DDR2可以突破标准DDR的400MHZ限制，实现更快的频率提升。
DDR内存一般采用TSOp芯片封装形式。这种封装形式会影响稳定性和提高频率的难度，因为太长的引脚会在较高频率下产生高阻抗和寄生电容。。这也是DDR的核心频率很难超过275MHZ的原因。DDR2内存采用FbGA封装。与目前广泛使用的TSOp封装形式不同，FbGA封装提供了更好的电气性能和散热能力，保证了DDR2内存的稳定运行和未来的频率发展。
DDR2内存使用的电压为1.8V，远低于DDR标准的2.5V，因此功耗和发热量显着降低是很重要的。
DDR2采用的新技术：
除了上述差异之外，DDR2还引入了三种新技术：OCD、ODT和postCAS。
Off-ChipDriver（OCD）：DDRII也称为离线驱动器调整，可以通过OCD提高信号完整性。DDRII调整上拉/下拉电阻值，使两者的电压相同。使用OCD，您可以通过降低DQ-DQS斜率和控制电压来提高信号完整性，从而提高信号质量。
ODT：ODT是内核内置的终端电阻。我知道使用DDRSDRAM的主板需要大量的终端电阻来防止数据线端子的信号反射。主板的制造成本显着增加。实际上，不同的存储器模块对终止电路有不同的要求。终端电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。较小的终端电阻会导致数据线上的信号反射较低。信噪比也较低。较高的终端电阻不仅会增加数据线的信噪比，还会增加信号反射。因此，主板上的终端电阻与内存条的匹配不太好，这也在一定程度上影响了信号质量。DDR2可以根据自身特性搭建合适的终端电阻，保证最佳的信号波形。使用DDR2不仅可以降低主板成本，还可以提供DDR无法比拟的最佳信号质量。
postCAS：设置以提高DDRII内存的利用效率。在postCAS操作中，CAS信号（读/写/命令）可能会在RAS信号之后的一个时钟周期插入，并且即使在额外的延迟（AdditiveLatency）之后，CAS命令也可能保持有效。原来的tRCD（CAS和RAS中的Delay）被AdditiveLatency（AL）替代，可以设置为0、1、2、3或4。CAS信号放置在RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远不会冲突。
总的来说，DDR2采用了很多新技术，改善了DDR的很多缺点。目前存在很多弊端，比如成本高、延迟慢等，但我们相信这些问题会通过不断的技术改进和改进得到解决。。最终会解决的。