内存模块ddr42400和ddr42666之间的主要区别在于频率。第一个的等效频率为2400Mhz,第二个的等效频率为2666Mhz。
扩展信息:
内存性能指标
内存性能评估Do模块有四个性能指标:
(1)存储容量:即一个记忆棒能容纳的二进制信息量,例如常用的168行记忆棒,存储容量一般为32MB或64MB和128MB。DDRII3通常为1GB至8GB。
(2)存取速度(存储周期):即两次独立存取操作之间所需的最短时间,也称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳米为100纳秒。
(3)内存可靠性:内存可靠性是通过平均故障间隔时间来衡量的,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4)性能价格比:性能主要包括内存容量、存储周期和可靠性。性价比是一个宽泛的指标,不同的内存有不同的要求。
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