s4200内存条是高压还是低压(内存条高压和低压的区别)

4GB是内存容量。

1Rx8代表内存颗粒数量，即1*64/8=8颗
MT451S6AFR8A-PBNOAA1326为生产批号。

PC3L-12800s表示低压版DDR3内存（PC3表示DDR3，L表示低压内存。）DDR3L为1.35V低压版。

海力士DDR3PC3L1600MHz内存。

这款内存采用4GDDR31066MHzSO-DIMM规格并使用HyperX标志性的蓝色散热器，专门针对高性能、低延迟的游戏用户进行了优化。DDR31066MHz下的延迟指数为CL3-5-5-15@1.5V。

扩展信息：

对于100MHz系统，系统时钟周期为10ns。

粗略计算：读取数据的总延迟时间=CASLatency延迟+访问时间。

例如：HyundaiPC-100SDRAM，访问时间为8ns，CL2模式。因此，总延迟时间=2x周期+访问时间=2x10ns+8ns=28ns

如果SDRAM工作在CL3模式，则访问时间为6ns。这样，总延时=3x10ns+6ns=36ns。

显然，当SDRAM工作在CL2模式下时，其速度比CL3模式下要快很多。

参考来源：百度-海力士百科