1.频率不同
31066的频率为1066MHz。
2DDR31333的频率为1333MHz。
2.功耗不同
1DDR31066的功耗是DDR2-800产品的0.83。
2DDR31333的功耗是DDR2-800产品的0.95。
3.不同的运动类型
31066的插槽类型为SDRAM。
2DDR31333的插槽类型为DIMM。
两者都是DDR3,性能差别不大,无需更换。
扩展信息:
DDR3和DDR2之间的比较:
1突发长度
由于预取到DDR3是8bit,因此突发传输周期也固定为8。对于DDR2和早期DDR架构系统,BL=4也常见为此使用4bitBurstChop模式,它由一个BL=4的读操作加上BL=4的写操作合成BL=8的数据突发传输。然后可以通过A12地址线控制该串行模式。
2寻址时间
正如DDR2从DDR过渡后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期相对于DDR2也会有所改善。DDR2的CL范围通常在2到5之间,而DDR3则在5到11之间,并且附加延迟(AL)的设计也发生了变化。DDR2中AL的范围是0~4,而DDR3中AL有3个选项,分别是0、CL-1和CL-2。
3DDR3新的复位功能
复位是DDR3的一个重要的新功能,为此专门准备了一个引脚。DRAM行业早就要求增加这个功能,现在终于在DDR3上实现了。该引脚将使DDR3初始化过程变得简单。当复位命令有效时,DDR3内存将停止所有操作并切换到最小活动以节省电量。
4DDR3增加ZQ校准功能
ZQ也是一个新引脚,该引脚连接了一个240欧姆的低容差参考电阻。该引脚通过命令集通过片上校准引擎自动验证数据输出驱动器导通电阻和ODT终端电阻值。
5参考电压分为两个信号
在DDR3系统中,对于内存系统的运行非常重要的参考电压信号VREF会被分割。分为两个信号,即服务的命令和地址信号以及数据总线的VREFDQ,这将有效提高系统数据总线的信噪比。
6点对点连接
这是为了提高系统性能而做出的重要改变,也是DDR3和DDR2之间的一个关键区别。在DDR3系统中,内存控制器仅处理一个内存通道,并且该内存通道只能有一个插槽。
因此,内存控制器与DDR3内存模块之间的关系是点对点(P2P)(单个物理Bank模块),或者点对两点(点对两点))-点,P22P)比(双物理Bank模块),从而大大减少地址/命令/控制和数据总线上的负载。
说到内存模块,与DDR2的类别一样,也有标准DIMM(台式机)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)FB-DIMM2(服务器)。第二代FB-DIMM将采用更高规格的AMB2(AdvancedMemoryBuffer)。
参考来源:-DDR3
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