内存时序公式(3200内存时序22 22 22 52)

内存性能指标包括以下几个方面。

1.存储速度：内存的存储速度用访问一次数据所需的时间来表示。单位为纳秒，记为ns。1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。。Ns值越小，访问时间越短，速度越快。

2.容量：内存容量越大，越不容易卡顿，但受限于主板支持的最大容量。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽。如果有多个内存插槽，则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。

是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，指的是存储器纵向寻址脉冲的响应时间。是衡量不同规格内存在一定频率下的重要指标之一。

芯片SPD是一块8引脚256字节EERROM（电可擦可编程只读存储器）芯片。位置一般在内存条正面右侧，记录着内存等信息。参数信息，例如速度、容、电压、行和列地址以及带宽。当开机时，计算机的BIOS会自动读取SPD中记录的信息。

5.工作电压：由于低压存储器必须比标准电压低1.5V才能保证稳定运行，因此低压存储器的生产对质量要求更高。内存出厂时的电压越高，内存的质量就越低。嗯，这就是低压存储器的优点之一。因此，高电压内存模块和低压内存模块的区别在于，低压内存模块比高压内存模块消耗更少的功率，并且更加环保。

扩展信息：

内存的结构和原理。

存储器的内部结构是PC芯片中最简单的。它是由许多重复的“单位”——细胞组成的。每个单元由一个电容器和一个晶体管（通常是N沟道MOSFET）组成。，电容可存储1位数据，充放电后的电荷量（电位电平）分别对应二进制数据0和1。

因为电容会漏电，使用一段时间后电荷就会丢失，导致电位不足，数据丢失。因此，必须经常进行充电以维持电位。这种充电动作称为刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这种刷新操作会一直持续到数据发生变化或电源关闭为止。

MOSFET是控制电容器充放电的开关。由于其结构简单，DRAM可以具有较小的面积和较大的存储容量。