演示机型:华为MateBookDDR4的2400和2660的性能差距约为10%。后者的频率是前者的1.1倍,处理数据的能力会略有不同,但实际使用过程中基本感觉不到这种差异。
评价记忆棒的性能指标有四个:
1.存储容量:即记忆棒能容纳的二进制信息量,如常用的168行记忆棒。存储容量一般为32MB、64MB和128MB。DDRII3一般为1GB到8GB。
2.访问速度(存储周期):即两次独立访问操作之间所需的最短时间,也称为存储周期。半导体存储器的存取周期一般为60纳秒。至100纳秒。
3.内存可靠性:内存的可靠性是用平均故障间隔时间来衡量的,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
4.性价比:性能主要包括内存容量、存储周期和可靠性。性价比是一个综合指标,不同的内存有不同的要求。
DDR42400和DDR42666内存模块之间的主要区别在于频率。前者等频2400MHZ,后者等频2666Mhz。
内存直接与CPU交换数据。它可以随时读写(刷新时除外),速度非常快,常被用作操作系统或其他运行的程序的临时数据存储介质。
当RAM工作时,可以在任何给定时间从任何地址写入(存储)或读取(检索)信息。内存和ROM的主要区别在于数据的易失性,即一旦断电,所存储的数据就会丢失。RAM在计算机和数字系统中用于临时存储程序、数据和中间事件。
上一篇:内存条大条和小条的区别
下一篇:内存条2400和2666差别