内存时序不佳
扩展您的知识:
内存时序(英语:Memorytimings或RAMtimings)是这是一个解释。(SDRAM)四个性能参数:CL、TRCD、TRP、TRAS,以时钟周期为单位。它通常写为由破折号分隔的四个数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略,有时会添加第五个参数。Commandrate,通常也写作2T或1T、2N、1N。这些参数指定延迟,这会影响随机存取存储器的速度。一般来说,数字越低意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟,通常以纳秒为单位。
将内存时序转换为实际延迟时要记住的最重要的一点是它是时钟周期。如果不知道时钟周期时间,就不可能知道一组数字是否比另一组快。
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