内存暴跌原因

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一、内存价格已暴跌50%，明年Q2才可能反弹？今年内存价格暴跌超50%，明年Q2或将反弹

日本放宽对韩国半导体材料的出口限制，全球内存市场的动荡有所缓解。内存市场已经从供需失衡走向过剩，价格一路走低。DRAMeXchange报告显示，第二季度内存行业总产值大幅下滑9.1%，反映出市场疲软、供过于求的现状。

尽管7月份内存价格因市场预期供应短缺而上涨，但合约价格并未跟随上涨。7月份8GB内存模组的价格下跌了10%，甚至比上季度还要低。20%的大幅下跌表明市场对价格反弹的预期尚未转化为实际需求。

随着韩国半导体材料危机的解决，内存涨价的支撑因素已经消失。预计第三季度价格将小幅下跌，幅度约为10%至15%。不过，三星等厂商预测，内存供过于求的情况将持续到明年第二季度，这意味着内存价格至少需要三个季度才能见底，触底窗口可能会推迟到明年。

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二、美光内存跌价20%为何导致营收暴跌45%？美光内存营收暴跌45%，内存芯片价格大跌20%

美光近期发布的2019财年第三季度财报显示，该季度营收暴跌40%，财报显示，内存芯片价格下滑20%，令人担忧净利。利润下降20%~78%。这主要是由于存储芯片和闪存的价格下降，尤其是存储芯片的性能下降。

DRAM内存芯片是美光的主要收入来源，占其收入的64%。该季度销售额环比下降19%，同比下降45%，价格ASP（平均售价）环比下降20%。尽管出货量与上一季度持平，但价格的大幅下跌对收入产生了重大影响。

占公司营收31%的NAND闪存也出现下滑，季度营收环比下降19%，同比下降25%。没有给出平均售价下降的具体数字，但被描述为“中个位数”，表明下降幅度在10%以内。位容量出货量下降了中个位数。

在产能策略方面，美光计划进一步减少投资。相比之前闪存和内存产能削减5%，本次调整幅度将更加剧烈，内存产能仍保持5%的削减，而NAND闪存的削减幅度将增加至10%。

技术层面，1ynm工艺存储芯片产能逐步提升，1znm下一代存储芯片研发进展顺利，预计2019年实现量产。预计会加速。下一个财政年度。与此同时，采用代栅技术的96层堆叠3D闪存和128层3D闪存的量产正在加速。