ddr3内存怎么超频到1866

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一、超频1866最佳时序11-11-11-28-1根据相应的信息查询，我们最低插到了1866MHz，时钟保持在11-11-11-28-1T，此时我们将工作电压提高了1.65V，达到了2133MHz，成功进入。系统稳定性好。

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二、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？当频率为主要因素时，如果cl值不稳定，总值可以增加（这是四个时间项中的最后一个）。调整到基本高频后，可以尝试将电压提升到更高频率的DDR31.65v和DDR4.5v。一般情况下，频率值增加一级（每级大约相差266mhz），cl值增加1。（对于相同的内存也是如此。）例如，ddr31600mhzcl9内存通常时钟为2133mhzcl11，但实际上可以时钟为1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果高，可以尝试提高电压。当然，最重要的还是身体方面。目前用三星b-die芯片内存就不错了，比如3000mhz频率cl14，然后是3000mhzcl16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v超频到2133mhz（1.5v时）而cl9只有它，非常强大。

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三、内存超频的方法是什么？

1.首先在BIOS中找到设置电压的选项AdvancdeVoltageSettings，按回车进入子菜单。

所选电压为1.5V。DDR3-1333的标准电压为1.5V，但由于大多数常规DDR3内存无需加压即可工作在DDR3-1600频率，因此这里可以调整为1.5V。不过，如果你的记忆力不好，也可以适当施加压力。

调整完内存频率、时序、电压后一定要保存退出。否则之前的所有设置都将被浪费。