当频率为主要因素时,应适当调整cl值。如果不稳定,可以增加总值(即四个计时元素中的最后一个元素)。调整基本最大频率后,可以尝试将电压提高到更高的频率,DDR3为1.65V,DDR4为5V,一般将频率值增加一级(每级大约相隔266MHz)。值增加一。(同样的内存也是如此。)例如DDR3、1600MHz、CL9内存通常超频到2133MHz、CL11,当然也可以超频到1866MHz、CL10。(1600-1866-21339-10-11)如果较高,可以尝试提高电压。
当然,最主要的还是身体问题。目前最好使用三星B-die芯片内存,比如频率3000MHz的cl14,其次是3000MHz的cl16。最好的DDR3是Micron的1600MHz、CL8、1.35V。当超频到2133MHz(1.5V)时,它只有CL9,相当强大。
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