DDR4通常运行在2133MHz,并且由于其新的电路架构可以达到3200MHz。
与之前的内存型号相比,DDR4的基础频率理论速度是之前型号的两倍,具有更可靠的传输性能和可靠的数据。性能进一步提升,工作电压降至1.2V,更加省电。
扩展信息:
DDR4内存最高频率可达4266MHz,电压可降至1.1V甚至1.05V。
三星表示这款DDR4内存采用了虚拟开漏技术,该技术出现在高端显存颗粒上。读写数据时的漏电率。只有DDR3内存的一半。
2010年12月底,该款DDR4内存模块样品已提供给控制器厂商进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC在2011下半年完成DDR4标准规范,预计2012年投入商用。
来源:-DDR4内存
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