1.不同的流程
2:DDR2存储器可以以每时钟外部总线速度4倍的速度读/写数据,并且可以以内部控制总线速度的4倍运行。。
3:采用sub-100nm生产工艺,工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,并增加异步复位(Reset)和ZQ校准功能。
2.不同的表现
2:与CPU的前端总线(FSB)接口、与GPU的图形总线接口、外围I/O总线和主内存总线。为了优化系统性能,FSB、图形总线和主内存总线都应以大致相等的带宽运行。
3:由于功耗较低,DDR3可以实现更高的工作频率,这在一定程度上弥补了延迟较长的缺点。也可以作为卖点之一。显卡的性能,与DDR3显存结合使用效果不错,已经在显卡上得到了体现。
3.封装不同
1:标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,与广泛使用的TSOP/TSOP-II封装形式不同,FBGA封装可以提供更好的电气性能和更好的散热。
3:引脚数将会增加。8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装。必须是绿色包装,不得含有任何有害物质。
参考来源:-DDR3
参考来源:-DDR2
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