lrdimm和rdimm的区别在于:参考不同、原理不同、侧重点不同
1参考不同
1.
:带寄存器的双线内存模块。
2.原理不同
1:与常见的lrdimm相比,服务器使用的带寄存器的DIMM通过对内存线上的信号进行缓冲并重新运行来提高内存支持能力。内存颗粒通过将当前RDIMM的寄存器芯片改为iMB(isolationMemoryBuffer)内存隔离缓冲芯片,减少内存总线的负载,从而提高内存支持能力。与常规RDIMM相比,Dual-RankLRDIMM内存的功耗仅为50%,Quad-RankLRDIMM的功耗可低至75%。
2rdimm:注册内存本身有两种工作模式,即registeredmode(寄存器模式)和buffered(缓冲模式)。当工作在支持注册工作模式的主板上时,注册内存工作在注册模式下。此时,主板上的地址信号和控制信号将比数据信号早一个时钟周期到达DIMM,并在发送到寄存器芯片后停留i个时钟周期,然后退出寄存器。下一个时钟信号的上升沿,与从主板到达DIMM的数据信号一起同时传输到SDRAM。时间。
3.侧重点不同
:是Load-ReducedDIMM的缩写。
:DIMM已注册。
今天,JDEC固态技术协会发布了DDR5SDRAM的最终规格,标志着计算机内存发展翻开了新的篇章。这种新的内存标准使内存速度加倍,并通过达到令人印象深刻的每芯片64Gbit密度进一步扩展内存容量。预计从2021年起率先采用服务器领域,并逐步普及到消费PC等设备。
DDR5升级的重点是提高内存容量和速度,目标是双倍提升。JEDEC的最大目标内存速度将达到6.4Gbps,单个LRDIMM的容量可达2TB,最大UDIMM容量预计将达到128GB。实现这一目标,除了提高容量外,还包括引入简化生态系统的技术,例如on-DMM电压调节器和on-DECC。
DDR5内存最显着的变化就是容量的增加。通过diestacking技术,一颗芯片的密度可以从DDR4的16Gbit增加到64Gbit,一颗芯片可以容纳8个die,从而实现2TB的大LRDIMM容量。对于非屏蔽DIMM,最大容量可达128GB,是DDR4的4倍。
虽然初期可以使用低密度8Gbit和粗粒度16Gbit芯片,速度提升是随着技术的发展呈线性的,但容量提升的速度逐渐加快。
速度方面,DDR5内存带宽得到提升,以适应不断增长的内存容量需求。相比DDR4,DDR5的初始目标速度达到4.8Gbps,比DDR4官方最高速度快50%,最终目标甚至可以达到6.4Gbps,比DDR4快一倍。
这种速度跳跃部分是基于这样一个事实:一个DIMM被分为两个独立的32位数据通道,每个通道提供16字节的突发长度,即数据量传输每个时钟。周期时间加倍,有效带宽加倍。
对于标准PC用户来说,DDR5带来了重大的架构变化,从DDR4的2x64位设置到4x32位设置。提高系统性能,内存操作与处理器的工作方式更加一致。
上一篇:内存sodimm
下一篇:内存条udimm和rdimm