内存条怎么降低时序

---

一、内存时序怎么调

调整内存时序的方法如下：

1.在BIOS中打开手动配置。

2.在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”。

设置中出现的其他描述包括AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingCconfiguringBySPD等。将其值设置为“Menual”（根据BIOS，可能的选项有：On/Off）或Enable/Disable）。

4.当请求被触发时，内存按照行和列进行寻址。

5.预充电后，内存真正开始RAS初始化。当tRAS变为活动状态时，RAS(RowAddressStrobe)开始寻址所需的数据。首先初始化行地址，然后初始化tRCD，循环以通过CAS访问所需数据的准确十六进制地址结束。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。因此，CAS是查找数据的最后一步，也是最重要的内存参数。

6.内存时序参数通常存储在内存模块的SPD中。数字2-2-2-84的含义如下：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间。根据内存品牌的不同，CL值印在内存标签上。内存模块。RAS-to-CASDelay(tRCD)，将内存行地址发送到列地址的延迟时间。

---

二、内存时序怎么设置？

内存时序是一个参数，通常存储在内存模块的SPD上。设置方法如下：

1．使用F12进入BIOS，然后在BIOS设置中搜索“DRAMTimingSelectable”。

设置中可能出现的其他描述包括AutoConfiguring、Automatic、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其值设置为“菜单”选项（取决于BIOS）。它们是：开/关或启用/禁用）。

3.内存是按照行和列进行处理的。当拨盘打开时，tRAS处于起始位置。

4.预充电后，内存实际上开始初始化RAS。一旦tRAS被激活，RAS(RowAddressStrobe)就开始处理请求的数据。

首先是行地址，然后初始化tRCD，循环结束，然后通过CAS访问所请求数据的精确十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。所以CAS是找到最重要的数据和内存参数的最后一步。

扩展信息：

最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS，其中大多数遵循JEDEC内存标准。设置参数的方法有以下几种：

1.低CAS周期可以减少内存延迟，提高内存工作效率。因此，只要操作系统能够稳定运行，CAS参数就应该尽可能调低。

（RASToCASDelay）：内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。参数有两个选项：2和3。越小越好。

（RASPrechargeTime）：控制器在内存行地址处的预充电时间。参数有两个选项：2和3。预充电参数越小，存储器读写速度越快。

（RASActiveTime）：内存行预充电有效的最短时间。我们有三个可选参数选项：5、6或7，但在某些nForce2主板中，选择范围非常广泛。大，最高可以是15，最低可以是1。这个参数最好设置在5到11之间。