主板内存时序怎么调

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一、内存超频的话，时序是怎么样的？

对于相同频率的内存，时序越低越好。

时序中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟。1600Mhz内存中的默认时序是11-11-11，1333Mhz内存中的默认时序是9-9-。9，因此具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的1600MHz内存更快。谢谢。常见的超频，除了将频率从1333改为1600Mhz外，专家还会改变时序。

基本解释

通用数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency（简称CL值）内存的CAS延迟时间，是内存的重要参数之一。有些内存品牌会在RAS-to-CASDelay（tRCD）内存模块的标签即内存线上打印CL值。该地址被传递给列地址的延迟。

RASPrechargeDelay（tRP），内存线地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关的四个时机调整。它们可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模块制造商还计划发布低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。

在相同频率设置下，最小串行时序为“2-2-2-5”的内存模块确实能够比“3-4-4-8”带来更高的内存性能，范围从3至5个百分点。

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二、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时序是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）、TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。
以下是调整内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据您的主板和计算机型号，进入BIOS设置的方法可能有所不同。通常，您需要在计算机打开时按特定键，例如F2、F12或Delete键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项并访问内存时序调整选项。
调整（CASLatency）：CL是读写内存时的延迟时间。表示从发出读命令到第一次读取数据所经历的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。一般来说，较低的CL值会带来较高的性能，但也会增加延迟。因此，您必须根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找CL值调整选项，根据自己的需要进行调整。
规则（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号到CAS（列地址选择）信号的时间。这个时间的长短会影响内存的读写速度。您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRCD值调整选项，根据自己的需要进行调整。
调整（RASPrechargeTime）：TRP表示预充电RAS信号所需的时间。在对存储器进行读写之前，必须进行预充电操作，以擦除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRP值调整选项，根据自己的需要进行调整。
需要注意的是，不同的内存类型和不同的计算机配置可能需要不同的最佳内存时序调整值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优。