第四代DDR4内存模组的电压为1.2V,这是由制造商严格规定的。
目前尚无适用于DDR4内存的低压产品。所有产品的电压均为标准电压。只有DDR3有标准电压和低电压,DDR3L为1.35V,标准DDR3为1.5V。
DDR4和DDR4之间存在三个主要区别DDR3:16位预取机制(DDR3为8位),相同核心频率下,理论速度是DDR3的两倍。传输规范更加可靠,数据可靠性进一步提高。工作电压降低至1.2V,更加节能。
扩展信息
12400MHz高频:
DDR4内存最大的优势是频率和带宽的提升。目前市场主流频率为DDR4-2133,爆款16GBDDR4封装频率为2400MHz。更高的频率将提供更快的带宽。新内存中的每个引脚均可提供2Gbps(256MB/s)带宽,DDR4。内存带宽-2400比DDR4-2133高30%。
2.更低的电压凸显高频节能优势
DDR3台式机标准内存上的电压是1.5V,即使是节能版也只有1.35V高频节能。
3.添加6个RAS功能
相比DDR3增加DDR4通过6个Ras功能,让DDR4变得更加可靠。这六个属性是命令/地址、数据、机械损坏、声誉、抗压性和现场修复。
低电压和标准电压内存模块的主要区别在于工作电压和功耗。简而言之,低压内存模块的工作电压和能耗较低,而标准电压内存模块的工作电压和能耗较高。
首先,低压内存模块的工作电压通常为1.35V或1.5V,低于标准电压内存模块的1.8V或1.95V。这意味着低电压内存模块使用更少的功率,从而减少计算机的能耗和产生的热量。这对于需要长时间运行或需要节约能源的计算机系统非常有利。
其次,由于低压内存模组使用的电压较低,其内存颗粒一般要求较高的制造精度和质量。这也意味着低电压内存模块通常比标准电压内存模块更昂贵,但它们通常也具有更高的性能和稳定性。低压内存模组的生产过程需要采用更先进的技术和设备,这也导致生产成本更高。
除了工作电压和功耗之外,低电压和标准电压内存模块在性能上也存在差异。虽然低压记忆棒功耗较低,但它们通常也具有更高的时钟速度和更少的延迟。这使得低压记忆棒在处理大量数据时能够更快地执行任务。此外,由于低压内存模块更加稳定,因此也更适合需要高可靠性的应用,例如服务器和数据中心。
例如,如果计算机需要长时间运行并需要节省能源,那么使用低压内存条是一个不错的选择。另外,如果服务器需要处理大量数据并且要求可靠性高,那么使用低压内存模块也是一个不错的选择。然而,如果计算机需要更高的性能并且能耗不是问题,标准电压内存模块可能更合适。
一般来说,低压内存条和标准电压内存条有不同的特点和使用场景。选择内存模块时,您必须根据计算机系统的需求和预算做出决定。
上一篇:内存条1.2v是什么意思
下一篇:内存条电压有什么区别