DDR42400和DDR42666内存模块之间的主要区别在于频率。前者对应的频率为2400MHz,后者对应的频率为2666MHz。后者具有更高的数据传输效率。
内存一般指的是工作内存:
工作内存(英文:RandomAccessMemory,缩写:RAM),也称主存,是内部存储的存储器直接与CPU交换数据。它可以随时读写(更新时除外),速度非常快,通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时数据存储。
RAM工作时,可以随时从任何指定地址写入(存储)或读取(检索)信息。与ROM最大的区别在于数据的易失性,即H。一旦关闭电源,保存的数据将丢失。RAM在计算机和数字系统中用于临时存储程序、数据和中间结果。
ddr42400能和2660一起用吗DDR42400和2660可以混用,但是DDR42660会降频到2400。
DDR4后面指的是工作频率的区别。记忆棒上的数据传输速度是记忆体最重要的参数之一。2660是指内存运行频率为2660MHz,2400是指运行频率为2400MHz。MHz前的数字越大代表内存性能越强,2660内存性能优于2400。
工作原理
与SDRAM模块相比,DDRSDRAM模块使用了184个引脚(pin),4至6层印刷电路板,电气接口由“LVTTL”改为“SSTL2”。DDRSDRAM模块共有184个引脚,仅缺少一个插槽,与SDRAM模块不兼容。
DDRSDRAM有两种CAS延迟,分为2ns和2.5ns(ns是十亿分之一秒)。速度较快的CL=2加上PC2100规格的DDRSDRAM称为DDR266A,而速度较慢的CL=2.5加上PC2100规格的DDRSDRAM称为DDR266B。另外,速度较慢的PC1600DDRSDRAM在这方面没有专门的编号。
内存条2400hz跟3200hz的区别频率不同,性能不同。演示机型:华为MateBook2400和2660的性能差距约为10%,频率是前者的1.1倍,数据处理能力略有不同,但实际使用中通常感觉不到这种差异。
评价记忆棒的性能指标有四个:
1、存储容量:即内存可以容纳的二进制数据量,如168行记忆棒。存储容量通常为32MB、64MB和128MB。DDRII3通常为1GB到8GB。
2、访问速度(存储周期):这是两次独立访问操作之间所需的最短时间,也称为存储周期。半导体存储器的存取周期约为60纳秒。。3.内存承诺:内存承诺以犯罪之间的平均时间来衡量,可以理解为两次犯罪之间的平均时间间隔。性能比:性能主要包括记忆容量、辅导和一致性,性能比是一个综合指标,需要不同类型的记忆。
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