H81主板支持高达16GB的DDR3内存。
DDR2SDRAM有4Bank和8Bank设计,旨在满足未来高容量芯片的需求。DDR3可能以2Gb容量起步,因此起始逻辑Bank为8个,未来将有16个逻辑Bank。
DDR3封装增加了引脚数并具有多项新功能。8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装,DDR2为60球。3种规格/68/84球FBGA封装。此外,DDR3必须采用绿色包装,不得含有任何有害物质。
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DDR3内存可以提供高带宽,同时降低功耗并改变核心工作电压。据相关数据显示,DDR3预计比目前的DDR2功耗降低30%。当然,你不用担心发烧。
为了平衡带宽和功耗,相比传统DDR2-800产品,DDR3-800、1066、1333的功耗比分别变为0.72x、0.83x、0.95x。。与上一代相比,内存带宽得到了显着提升,功耗性能也得到了改善。
H81芯片组最高支持DDR31600
最大支持16GB内存
使用两条完全兼容的8GBDDR31600内存组成双16GB通道是更好的选择,并且这也是一步到位
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