DDR3传输速度最高可达2133MHz,DDR4传输速度从2133MHz开始,最高可达4266MHz。
在存储部分,同一单元的DDR4芯片的存储空间是DDR3的两倍,DDR4最多可以承载8个模块。是DDR3的两倍。以此计算,相同空间内DDR4模块的最大容量是DDR3的4倍。DDR3所需的标准电源为1.5V,DDR4降低至1.2V,甚至更低功耗的DDR4针对移动设备降低至1.1V。
DDR4最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存每个引脚为2Gbps(256MB/s)带宽DDR4-3200为51.2GB/s,这比DDR3-1866高70%。
原生频率DDR42133CL15
DDR42133频率下速度测试:48.4GB/s
DDR43DS配对后封装采用技术,单个存储器的容量可以达到现有产品的8倍。例如,目前常见的大容量内存单颗容量为8GB(单芯片512MB,共16颗),而DDR4则可以达到64GB或128GB。就电压而言,DDR4将采用sub-20nm工艺制造。电压将从DDR3中的1.5V降低到DDR4中的1.2V(移动版SO-DIMMDDR4的电压)。
总结:
1-DDR4内存模组外观变化明显,金手指弯曲
2-DDR4内存频率大幅提升;达到4266MHz
3-DDR4内存数量大幅增加,高达128GB
4:大幅降低DDR4功耗;即使电压为1.2V或更低
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