8*4和16*2内存差距(内存条8+16好还是8+8)

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一、内存条2GB2Rx8PC2-5300s-555-12与512MB2Rx16PC2-4200S-444-11是什么意思?能用在同一台笔记本吗?

这两个内存用于同一笔记本中，可能不兼容。

12GB2Rx8PC2-5300s-555-12，表示容量为2G，8颗双面颗粒，DDR2667，显存时间为555-12。

2512MB2Rx16PC2-4200S——表示512M容量，8颗双面颗粒，DDR2533，显存时间为444-11。

3两种记忆的频率和持续时间不同。

DDR：

DDR使用一个周期来回传输数据，因此传输量同时加倍，因此就像以两倍的工作频率运行一样。为了直观起见，对其进行了命名，因此命名为DDR200266333400。

DDR2：

虽然DDR2的工作频率没有改变，但是数据传输位宽从DDR的2位变成了4位，所以传输的数据相同时间是DDR的两倍，所以它也使用etc。有效频率被命名为DDR2400533667800。

DDR3：

DDR3内存在不提高工作频率的情况下，继续将数据传输位宽提高到8位，是DDR2的两倍，因此也实现了更高的传输速率。频率。相同工作频率下的带宽，因此等效名称为DDR3800106613331600。

所以可以看出DDR400DDR2800DDR31600内存的运行频率没有差别，只是由于传输数据位宽加倍而导致带宽增加。

内存的实际工作频率是由延迟决定的。DDR400和DDR2800的实际工作频率是相同的。如果是DDR400和DDR2667，后者虽然带宽较大，但实际频率较低，延迟也稍高。

DDR2和DDR的区别：

1预取率和预取量

DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存的预期4位能力是标准DDR内存的两倍。

2封装及电压

DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA

DDR的标准电压为2.5V，标准电压为；DDR2为1.8V。

3位预取

DDR为2位预取，DDR2为4位预取。

4新技术介绍

DDR2引入了OCD、ODT和POST

(1)ODT：ODT是集成内核的终端电阻。其作用是允许DQS、RDQS、DQ和DM信号馈入终端电阻，以防止这些信号反射到电路中。

（2）PostCAS：是为了提高DDR2内存的使用效率而设置的。

当没有pre-CAS功能时，其他L-Bank的寻址操作可能会因为当前行的CAS命令占用地址线而延迟，导致数据I/O总线空闲，使用pre-CAS消除了命令冲突并提高了数据I/O总线效率。

（3）OCD（Off-ChipDriver）：离线驱动器调整，DDR2可以通过OCD提高信号完整性。OCD的作用是调整DQS和DQ之间的同步，以保证信号的完整性和可靠性。OCD的主要目的是调整I/O接口处的电压，以补偿上拉和下拉电阻。值，以最小化数据DQS和DQ之间的差异。信号。

调整时，测试DQS高电平和DQS高电平的同步性，分别与DQ低电平和DQ高电平的同步性，如果不满足要求，则使用定义突发长度的地址线发送上/下阻力位，测试合格后才会退出OCD操作。

DDR3和DDR2的区别：

1是1.8V，DDR3是1.5V。

2DDR3采用CSP和FBGA封装，8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2有60/68/84三种FBGA封装规格。

3逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3有8个初始Bank。

4由于DDR3预计为8位，因此突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8。对于DDR2和早期DDR架构系统，通常使用BL=4。;

DDR3为此增加了4-bitBurstChop（突发突变）模式，将BL=4的读操作与BL=4的写操作结合起来，合成一个数据突发流BL=8，这个突发模式可以通过A112位地址线控制。

5寻址时间（Time），DDR2的AL为0，DDR3为0，CL-1和CL-2。

6位预取：DDR2为4位预取，DDR3为8位预取。

7个新功能，ZQ是一个新引脚，该引脚连接了240欧姆低容差参考电阻，并且添加了新的可编程温度SRT（自重闪温度）来控制内存时钟频率。功能。

新增了PASR（PartialArraySelf-Refresh）功能，可以说是让整个内存条的数据读写更加高效，从而达到省电的目的。

8DDR3参考电压分为两部分，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于系统数据总线的VREFDQ。

9点对点连接（point-to-point，p2p），这是为了提高系统性能而做出的重要改变。

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二、想上32G内存是8G*4条快一点还是16G*2条快一点同样，使用相同的频率，使用主板支持的最大内存频率，这是最快的！几条条纹并不重要。单16和单8都是一样的