海力士内存芯片编号

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一、HY57V561620HY57V641620区别芯片命名原则是什么好多芯片就差几个数字而已功能有什么差别吗30、带有“HY5”前缀的Hynix内存颗粒是如何编号的？
答：韩国海力士原本是与现代有关联的内存厂商。当时产生的记忆粒子编号均以“HY”为前缀。后来海力士成为独立内存厂商，颗粒编号改为以“H”为前缀。因此，以“HY”为前缀的内存颗粒一般被称为“现代”内存，以“H”为前缀的颗粒被称为“Hynix”内存。事实上，它们都是海力士的产品。
以“HY5”为前缀的内存颗粒是比较早期的内存在计算机内存中，DDR2和DDR3内存不再使用“HY”前缀进行编号。但在ConsumerMemory（用于电视机顶盒、摄像机等的内存）中，它会继续使用一段时间。2007年，决定所有Hynix内存前缀均应由“H”替换为“HY”。下面我举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，如下表所示（根据厂商网站上的信息，根据我的理解进行分类）。
以“HY5”为前缀的Hynix内存颗粒编号规则
含义类型电压密度位宽BANK接口版本功耗数据包速度​​​​​​温度
SDRAMHY57V56820FTP-10s
SDRAMHY57V651620ATC-75
DDR1HY5DU56822DTP-D43
DDR1HY5DU12422BLT-M
注；166MHz);75:7.5ns(133MHz);
K:PC133,CL2;H:PC133,CL3;P:PC100,CL2;S:PC100,CL3;10:10ns(100MHz);
15:15ns(66MHz)。
对于DDR：有变化，“D4”代表DDR400，“D43”代表DDR400，“J”代表DDR333；“M”、“K”、“H”均代表DDR266，但“L”代表DDR200；“5”代表200MHz；
其他项目说明：
类型：“HY”是现代的意思，“5”和“57”都代表SDRAM内存；
电压：指处理工艺和电电压（PROCESS&POWERSUPPLY）：对于SDRAM和DDR1：
空白为5V“V”代表CMOS，3.3V；"代表CMOS，2.5V；
密度：指粒子密度和刷新率(DENSITY&REFRESH)：
对于SDRAM，“64”和“65”都是64Mb“26”和“28”都是128Mb；
对于DDR1，“12”是512Mb
根据模块的密度和数量可以知道模块的容量。例如，当密度标记为“12”时，如果有8个颗粒，则模块容量为512MB，如果有16个颗粒，则模块容量为1GB。
位宽：指的是粒子的位宽（数据宽度）：
“4”代表“×4”；16”代表“×32”；2"代表4BANK；
Interface：指LVTTL；"代表SSTL_2。
Version：指粒子的工厂版本；Blank代表第一个版本；按照第二版本，用A、B、C、D等表示；
功耗：指功耗。空白表示正常功耗；“L”表示低功耗；
Package：芯片封装方式（Package）。TC：400milTSOPII；JQ：100Pin-TQFP；
速度（velocity）是指粒子的频率，见表注。
温度：温度，“I”为工业温度，“E”为扩展温度。然而，该记录通常不包含在编号中。

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二、芝奇幻光戟序列号T4320xs820c内存是什么颗粒的?谢谢

从序列号末尾的820C来看，这款内存可能是8位宽，Hynix颗粒，原厂芯片，第3版。

如果想了解具体的粒子模型，可以使用TyphoonBurner软件进行检测，打开软件后，点击SMBUS中的EEPROM-ReadROM选项卡即可查看。以供参考。

也可以直接参考记忆颗粒表面的激光喷码进行识别，但有的批次可能会被标记两次，或者可能会覆盖原来的参数。