各代内存读写速度

性能体验上差别并不算太大。当使用相同的显卡和CPU时，用户体验差别不大。只有专业软件才能测量差异。它还取决于内存模块型号，不一定是第四代。应该比第三代好。

第四代内存条与第三代内存条的主要区别在于工作电压和引脚。总结起来就是做工上有区别。至于性能，就看具体型号了。并不意味着第四代就一定比第三代好。目前的主板要么支持DDR4，要么支持DDR3，但两者不能同时使用。有些主板同时配备了DDR4和DDR3插槽，但只能使用其中一个。

扩展资料：

DDR3时代

DDR3的工作电压比DDR2低，从DDR2的1.8V下降到1.5V、性能更好，更省电；DDR2的4位预读升级为8位预读。

DDR3目前最高速度可以达到2000Mhz。虽然目前最快的DDR2内存速度已经提升至800Mhz/1066Mhz，但DDR3内存模块仍将从1066Mhz开始。

DDR3采用了基于DDR2的新设计：

1。8位预取设计，而DDR2是4位预取，因此DRAM核心的频率仅为接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率仅为100MHz。

2.采用点对点拓扑结构，减轻地址/命令和控制总线的负担。

3.采用100nm以下的生产工艺，工作电压从1.8V降低至1.5V，并增加异步复位（Reset）和ZQ校准功能。部分厂商推出了1.35V低压版DDR3内存。

DDR4时代

2012年，DDR4时代即将开启。起始频率将降低至1.2V，频率将提升至2133MHz。明年，电压将进一步降至1.0V，并实现变频。2667兆赫。

新一代DDR4内存将有两种规格。据半导体行业多位相关人员介绍，DDR4内存将与Single-endSignaling（传统SE信号）方式和DifferentialSignaling（差分信号技术）方式并存。

其中，AMD的PhilHester先生也证实了这一点。预计这两个标准将推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将看到两种互不兼容的内存产品。