1.流程不同
1:DDR2内存每个时钟可以以外部总线速度4倍的速度读/写数据,并且可以以内部控制总线速度4倍的速度运行。。
2:采用亚100nm制造工艺,将DDR2工作电压从1.8V降至1.5V,并增加异步复位(Reset)和ZQ校准功能。
2.性能不同
1:与CPU的前端总线(FSB)接口、与GPU的图形总线接口、外设I/O总线和主存总线。为了优化系统性能,FSB、图形总线和主内存总线应以大致相等的带宽运行。
2DDR3:由于能耗降低,DDR3可以实现更高的工作频率,这在一定程度上弥补了显卡延迟时间长的缺点,这在搭配DDR3显存时是有好处的已经显示在显卡上了。
3.封装不同
1:标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,与广泛使用的TSOP/TSOP-II封装形式不同,FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热。
2DDR3:管脚将会增加。8位芯片采用78位FBGA封装。必须是绿色包装,不能含有有害物质。
参考来源:-DDR3
参考来源:-DDR2
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