内存卡怎么存储东西的(华为怎么把东西移进内存卡)

用一个简单的句子来概括。存储卡是电存储器，即存储的充电电压代表0和1。

我们通常存储数据的方法是在存储卡上的半导体上存储电荷，然后通过存储卡的属性。该方法访问数据存储位置中单元的电势，并将最终数据从电势转换为电势

一般使用存储卡。NAND颗粒是具有主控的存储颗粒。NAND是一种半导体存储颗粒（还有其他类型，例如NOR。但是NOR不用于这些东西）。至于这个粒子的物理结构，就不用细说了。我们需要关心NAND如何存储和读取数据。

简单来说，NAND可以看作是由很多电容器组成的集成电路。NAND分为SLC（SingleLevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）、TLC（Trinary-LevelCell）等（目前只有这三种）。从名字上就可以看出区别：SLC是“单层”，MLC是“双层”，TLC是“三层”。其实可以这样理解：SLC是指将电容的充电状态（充电）和放电状态（不充电）分别视为0和1；MLC表示充满电、2/3充电、1/3充电、不充电。四种电荷状态定义为00、01、10和11；TLC增加了几个中间值，从000到111有八个定义。那么SLC的一个单元（一个“电容器”）只能存储1位，MLC可以存储2位，TLC可以存储3位。同时当然要理解的是，SLC可以清楚地判断一个单元是0还是1，但MLC则不容易判断，因为不同的电荷量代表不同的数据，并导致轻微的电荷丢失误差。；TLC出错的可能性更大。因此，就稳定性而言，SLC最好，MLC次之，TLC最差。此外，这些电池“反应迟缓”，在反复连续充放电后无法保持电量，从而导致数据错误。从这一点来看，SLC也是最耐充放电的，MLC次之，TLC最差。因此，SLC的寿命最长，MLC次之，TLC最差。从充放电速度来看，SLC是最简单、最快的。结构越复杂，速度越慢。因此MLC次之，TLC最慢。

这意味着存储卡即使已断开电源，仍然可以存储数据。如果您有任何疑问，请联系我以获取详细说明。