内存的时序重要吗(内存的时序有什么用)

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一、内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

内存时间高表示系统性能低，延迟大，会对计算机性能产生一定的影响。

内存计时数字越低通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存模块性能的参数。通常保存在存储模块spd中，简称cl值，是重要的内存参数之一。有些内存品牌会在内存条标签上打印cl值，目前较好的内存条会在参数中标注cl值。

一般来说，时序是决定内存性能的一个参数，但这并不意味着时序越低，性能就越好。还和存储容量和频率有关，只能说，容量和频率相同的两个内存之间，时间越低，性能越好。

spd模块中，通用数“a-b-c-d”对应的参数为“cltrcdtrptras”，其含义如下：

1：列寻址所需的时钟周期（表示延迟周期）

自然，在相同频率下，cl值越小，内存条的性能越好，随着内存条频率的升高，cl值也越高。ddr1-4的时间越来越大，但实际的cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差；另一方面，ddr1-4的cl值越高，频率增加得越高。。

：行寻址时钟周期和列寻址时钟周期的区别

TrCD的值对频率内存模块想要达到的最大内存频率影响最大，但如果不能提高电压并放松cl的值，只能增加trcd的值。

今天的DDR4通常为1.2V。如果你想让CL好看，如果你想让内存条超频到更高的水平那就增加TRCD，如果你想要灯效那就增加时序。因此，大的trcd并不意味着内存模块不好，而是意味着内存模块可以超过非常高的频率。

：下一个周期之前充电所需的时钟周期

虽然TRP效应会随着频繁的bank操作而增加，但影响也会根据频繁操作的bank而因交叉操作和命令供应而减弱。放宽trp将有助于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp使内存模块更加兼容。

：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间量。

此操作很少见，仅在内存空闲或新任务启动时使用。如果跟踪值太小，会导致错误或数据丢失；如果值太大，则会影响内存性能；如果内存模块的负载较大，则可以稍微放宽跟踪值。

参考来源：--内存时序

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二、内存时序对性能的影响？

对于相同频率的记忆，时间越少更好。

定时器中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11点，在1600Mhz内存上默认时间为11-11-11，在1333Mhz上默认时间为9-9-.9、因此，时序为9-9-9的1600Mhz内存比时序为11-11-11的1600Mhz内存更快。主要是超频；除了将频率从1333更改为1600Mhz外，专家还会更改时间。

基本解释

“A-B-C-D”对应的通用数值参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency（简写）CL值）内存CAS延迟时间；内存的重要参数之一，有些内存品牌会在内存等级的索引中打印CL值。该地址发送到列地址的延迟时间。

RASPrechargeDelay(tRP)；存储器行地址选通脉冲预充电时间RowActiveDelay(tRAS)；存储器行地址选通延迟。这些是大多数主板内存模块制造商的BIOS中的四种时序设置，可实现低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。

相同频率设置下，最小串行时序为“2-2-2-5”的内存模块实际上可以带来比3-4-4-8更高的内存性能；3到5个百分点。