由于内存的标签上没有特定且标准化的格式,因此识别起来有些困难。一般标签应包含容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息。这些也是基本参数。
内存延迟
内存延迟是指系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存的时间,通常用四个连续的阿拉伯数字表示,例如“.”5-6-6-18”。其实并不是说延迟越小,内存性能就越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用,相互影响程度很大,确实并不是说该值越大性能越差,所以合理的比例参数非常重要。
CASLatency,即列地址强脉冲的时间延迟,就是我们常说的CL值。它是指内存访问数据所需的延迟时间,简单来说就是内存接收到CPU指令后的响应速度。
RAS-to-CASDelay(tRCD),对应CAS,RAS表示RowAddressStrobe,行地址的闪烁脉冲。CAS和RAS共同决定内存处理。RAS(请求数据后先运行)和CAS(RAS完成后运行)不连续,存在延迟。即内存行地址发送到列地址的延迟时间。
Turn预充电延迟(tRP),存储器行的地址,硬脉冲预充电时间,即从行结束到访问存储器进行重放的时间间隔。
Row-activeDelay(tRAS),内存行地址的flash延迟。表示从收到请求到初始化RAS(行地址闪存)并真正开始接收数据的时间间隔。
检查内存芯片时序的步骤如下:
1.首先,如果有两个容量和频率相同的内存芯片,可以检查内存芯片此时,可以说时序越低越好,例如一个CL14和一个CL16,那么CL14就是绝对更好。
2.其次,当你需要给电脑添加内存条时,首先要检查电脑原来的DDR。例如,DDR4就比DDR3好很多。
3最后例如8G加8表示内存容量为8G。一般来说,运行内存的时候,首先要看容量。特别是当您需要安装另一块时,一定要检查清楚您的电脑的容量,并在添加额外的内存时选择相同的内存。
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