内存条时序怎么改(内存条超频时序怎么改)

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一、内存时序怎么设置？

内存时序是一个参数，通常存储在内存模块的SPD上。设置方法如下：

1按F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”。

设置中可能出现的其他描述包括：AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其值设置为“Menual”（取决于您的BIOS）选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3.内存按行和列寻址。当请求被触发时，最初是tRAS。

4.预充电后，内存实际上开始初始化RAS。一旦tRAS被激活，RAS(RowAddressStrobe)就开始寻址所请求的数据。

首先是行的地址，然后初始化tRCD，循环结束，然后通过CAS访问所请求数据的精确十六进制地址。从CAS开始到结束的这段时间就是CAS延迟。所以CAS是查找数据的最后一步，也是最重要的内存参数。

扩展信息：

最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS，其中大多数遵循JEDEC内存标准。以下是设置参数的不同方法：

1.较低的CAS周期可以减少内存的等待时间，提高内存的运行效率。因此，只要操作系统能够稳定运行，CAS参数就应该调整到尽可能低的水平。

（RASTOCASDelay）：从内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。有两个参数选项：2和3。越小越好。

（RASPrechargeTime）：存储器行地址控制器预充电时间。有两个参数选项：2和3。预充电参数越小，存储器读写速度越快。

（RASActiveTime）：内存线预充电有效以来的最短周期。可选参数有5、6或7三种选择，但在某些nForce2主板上选择范围非常大。大，最大可以为15，最小可以为1。最好将此参数调整在5到11之间。

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二、内存时序调节教程

4内存超频的成功与否不仅取决于内存颗粒能否经受住高频测试，如果将内存的读写视为流水线操作，时序的调整也非常重要，时序就像每个环节所需时间的调整，只有懂得内存时序调整的高手，才能真正将内存发挥到极致。

简称为内存CLCASlatency值，是内存的重要参数之一。有些内存品牌会打印CLRastoCASdelaytRCD的值，即内存行地址。内存模块标签上延迟时间改成amd列地址显卡显存修改方向盘定时音量调节方法105变速调节教程。

如果想进一步提高内存性能，并且主板BIOS提供了修改内存SPD中时序参数的功能，可以尝试降低BIOS中tCASTRCDtRPtRAS等四个选项的值出于稳定性考虑，不建议对内存进行超频和随意修改内存时序参数。

1将内存延迟设置得较低例如DDR2800内存可设置为44410，频率较高的内存可设置为55515，CMD参数设置为1T，并使用测试进行检查。软件。内存是否能稳定工作2、降低延时参数后内存是否不稳定。

ddr3内存第二时序的设置方法如下：SDRAM行刷新周期时间该值对内存带宽影响较大一般设置为60，放宽该参数相应增加内存超频频率例如，当DDR3内存超频到2000MHz以上频率时，建议将该值放宽至88或2写入恢复延迟以上。