海力士内存颗粒编码详解

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一、海力士笔记本内存条鉴别内存编号
关于Hynix的前世今生，我不再讲了，只讲一下Hynix的内存模块。
海力士的英文名字大家一定记得清楚是SKHynix，但在2012年之前是Hynix。这是由于2012年2月SK加入而发生的更名。之所以有这样清晰的记录，是因为制造商和计算机中的日期之间的关系可以确保旧商品作为新商品出售。
说到这里，其实有两个数字，一个是内存种子的编号，另一个是内存的编号。如果我们将内存视为一个模块，那么很明显内存颗粒就是构建块。），所以我将在这里发布2张图片，分别是ComponentPartNumbering（组件零件编号）和ModulesPartNumbering（模块零件编号）。
显然，看到这张图，很多人会认为这些记忆粒子没有真正的用途。大多数内存厂家或小作坊都可以采购内存珠。印刷，统一印刷。如果打磨的话，颗粒表面会有细小的划痕。如果内存编号不遵循这个规则，那么肯定已经被磨掉了。这适用于所有使用Hynix内核的内存。对了，我还要提醒一下JS，抛光膜需要很多时间，所以不要再拿错号码了。

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二、HY57V561620HY57V641620区别芯片命名原则是什么好多芯片就差几个数字而已功能有什么差别吗30、海力士内存颗粒上的“HY5”前缀是如何添加的？
答：韩国海力士原本是现代汽车旗下的内存厂商。当时产生的所有记忆粒子编号都有“HY”。后来海力士成为独立内存厂商，颗粒数也改为前面带“H”。因此，带有“HY”前缀的内存颗粒通常被称为“Modern”内存，带有“H”前缀的颗粒被称为“Hynix”内存。事实上，它们都是海力士的产品。
前缀为“HY5”的记忆粒子是比较早期的记忆。在计算机内存中，DDR2和DDR3内存在编号中不再使用“HY”前缀。然而，ConsumerMemory（电视机顶盒、摄像机等使用的内存）会持续使用一段时间。2007年，决定将所有Hynix内存前缀从“H”替换为“HY”。现在我们举例说明如何使用前缀“HY5”命名内存，如下表所示。（根据制造商网站的信息进行分类。）
以“HY5”开头的Hynix内存颗粒的编号约定
含义类型电压密度位宽BANK接口版本功耗封装速度温度
SDRAMHY57V56820FTP-10s
SDRAMHY57V651620ATC-75
DDR1HY5DU56822DTP-D43
DDR1HY5DU12422BLT-M
SDRAM的速度为5：5ns（200MHz）。166MHz);75:7.5ns(133MHz);
K:PC133,CL2;H:PC133,CL3;P:PC100,CL2;S:PC100,CL3;10:10ns(100MHz);
15:15ns(66MHz)。
DDR的情况已发生变化。“D4”代表DDR400，“D43”代表DDR400，“J”代表3-3-3。DDR333“M”、“K”和“H”均代表DDR266，但“L”代表DDR200，“5”代表200MHz。
其他项目说明：
类型：“HY”表示最新，“5”均表示SDRAM内存。
电压：表示处理技术和电源电压（PROCESS&POWERSUPPLY）。对于SDRAM和DDR1：
Blank代表5V，“V”代表CMOS，“U”代表CMOS，2.5V。
Density：表示粒子密度和刷新速率（密度和刷新）：
对于SDRAM，“64”和“65”都是64Mb。;“26”和“28”都是128Mb。“56”和“52”都是256Mb。
对于DDR1，“28”是128Mb，“56”是256Mb。
模块的容量可以通过模块颗粒的密度和数量来决定。例如，如果密度列为“12”，则具有8个颗粒时，模块容量为512MB，而具有16个颗粒时，模块容量为1GB。
位宽：表示粒子的位宽（数据宽度）。
“4”代表“×4”。16”代表“×16”，“32”代表“×32”。
BANK：表示每个粒子的逻辑BANK编号。“1”代表2BANK，“2”代表4BANK。
接口：指粒子的电接口。“0”代表LVTTL，“1”代表SSTL，“2”代表SSTL_2。
版本：表示粒子的出厂版本。空格表示第一个版本，第二个版本之后是A、B、C、D等。
功耗：表示功耗。空白表示正常功耗，“L”表示低功耗。
封装：芯片封装方式（Package）。TC：400milTSOPII；JQ：100Pin-TQFP；
速度是指粒子的频率。有关说明，请参阅表注。
Temperature：温度，“I”为工业温度，“E”为扩展温度。但是，该项目通常不包含在编号中。

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三、海力士笔记本内存条上字母数字代表什么意思？2GB\x0d\x0a1Rx8表示一侧8个存储颗粒\x0d\x0aPC3是第三代\x0d\x0a10600s1333内存（直接10600/8=1325和1024是1333）\x0d时序。