海力士内存颗粒编号对照表

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一、怎么看电脑内存条的大小？我这有一条，但不知道大小上面写着HYNIXHY50U56822BT-HKOREAHYNIXDDRSDRAM颗粒编号：
HYXXXXXXXXXXXXXXXXXX-XXX
123456789101112-1314
整个DDRSDRAM颗粒编号由14组数字或字母组成，每组代表内存的一个重要参数，他们的理解相当于现代记忆的理解。
粒子数解释如下：
1．HY是HYNIX的缩写，意思是颗粒是现代制造的产品。
2.内存芯片类型：(5D=DDRSDRAM)
3．加工工艺及电源：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
4、芯片容量密度及刷新率：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M4K刷新K刷新；12：512M8刷新。存储芯片结构：（4=8个芯片；32=32个芯片）
6.1=2bank；3=8bank）
接口类型：（1=SSTL_2；3=SSTL_18）
8第一代；A=第2代；C=第4代。功耗：（空；L=低功耗型）：（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA）。UTC:8x13mm))
11.包装人员：(空白=普通；S=Hynix；K=M&T；M=MCP(Hynix))
包装材料：(空白=普通)；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素）
13.速度：(D43＝DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR3332-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200)
1.工作温度：（I=普通工业温度（-40-85度）；E=扩展温度（-25-85度））
HY50U56822BT-H
现代DDR266页，256M，8K刷新。VDD=2.5V电压。单个显存信号宽度为8位

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二、内存颗粒怎么看

金士顿可以说是全球最大的内存制造商。该公司使用的内存颗粒不仅包括金士顿自己开发的产品颗粒，还包括很多其他厂家生产的内存颗粒。如今，它们最常用于营销。市场上有海力士珠和镁珠。

金士顿厂家生产的内存模组中常用的内存珠如下：

2.华邦华邦

3．日本东芝

4.英飞凌英飞凌种子。

能量晶珠

7．NANYA南亚县

8.现代粒子HYNIX

9。海力士种子

10。ELPIDA颗粒ELPIDA

内存模块包括芯片、PCB板、一些电阻器和电容器。它们的外部标记很少，并且大多数没有官方外包装。普通消费者很难判断其品质。他们只考虑外观，因此购买时应该多加注意。内存造假最常见的方法是使用劣质产品冒充品牌产品。存储芯片在出厂前需要经过三个步骤：前处理、后处理和测试。

扩展信息：

1.金士顿高频内存包括采用“Hynix”D43和Winbond内存珠的金士顿DDR400和DDR433-DDR500内存，属于ValueRam（经济型）系列和HyperX系列。

2.金士顿ValueRam系列的价格与普通DDR400相同，但可以超频至DDR500。金士顿的HyperX系列也具有良好的超频能力。金士顿HyperX500MHz超频内存(HyperXPC4000)提供256MB和512MB容量的单芯片封装，以及512MB和1GB容量的双芯片封装。铝制散热器。为了加强散热，采用了三星K4H560838E-TCCC芯片。DDR400的CAS值为2.5，DDR500的CAS值为3，性能一般。

3虽然金士顿、KingMax、Apacer等内存品牌都使用自己的磁珠，但假冒产品较少。然而，也有精明的奸商“制造”假货。近日，市场上出现了假冒金士顿内存，采用正品三星内存进行仿冒的情况。不过，识别假冒存储卡也很简单，只需注意PCB上印有SUNSAMG字样即可（由于做工问题，造假者无法轻易将其取下）。还要检查产品是否有代理商，是否提供防伪标签，并且可以拨打防伪电话来辨别真伪。

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三、海力士笔记本内存条上字母数字代表什么意思？不用说，2GB\x0d\x0a1Rx8表示一侧有8个存储颗粒\x0d\x0aPC3是第三代内存\x0d\x0a10600s1333（直接10600/8=1325并按1024就是1333）\ax9-1333是时间

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四、请教现代内存的编号。揭秘现代内存编号的秘密
现代内存颗粒编号由四个字母或数字组成，如下图1所示，小编给大家讲解一下，主要讲解一下内存的规格。
现代内存编号示意图
A部分显示了制造该颗粒的公司名称——Hynix。B部分显示内存模块的制造日期，以三个阿拉伯数字表示。第一个阿拉伯数字表示制造年份，后面两位数字表示是该年第XX周制造的。如上，517表示该模块是2005年第17周生产的。
C部分代表存储芯片的频率和延迟参数。它由1-3个字母和数字组成。根据频率和延迟参数的不同，可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。含义是：D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；4代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3，延迟为2-2-2；H代表DDR266B(133MHz)，延迟为2.5-3-3L代表DDR200(100MHz)，延迟为2-2-2。
D部分编号实际上由12个小部分组成，分别代表内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体细节如图2所示。
D部分编号12个小零件分解图
采用现代粒子的记忆粒子特写
第1部分代表粒子生成器。“HY”是HYNIX的缩写，意思是颗粒是用现代方式制造的。第2部分代表产品系列，由两个数字或字母组成，“5D”代表DDR内存，“57”代表SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。含义是V代表VDD=3.3V&VDDQ=2.5V，U代表VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；
第4部分显示内存模块的容量和刷新设置，由两个数字或字母组成。对于DDR内存，“64、66、28、56、57、12、1G”代表不同的容量和刷新设置。含义为：64代表64MB容量，66代表刷新容量，28代表128MB容量，56代表256MB容量，57MB；1G刷新代表1GB容量，8K刷新。
第5部分表示内存位的位宽，由1或2个数字组成。分为4种情况，用“4、8、16、32”分别表示4位、8位、16位、32位。
第6部分是银行号码，由1个号码组成。分三种情况：“1”代表2bank，“2”代表4bank，“4”代表8bank。
第7部分表示接口类型，由数字组成。分为三种情况，“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；
第8部分是粒子的版本，由1个字母组成，在这26个字母中越靠后，粒子的版本越新。HYMemory共有5个版本，用数字表示，空白代表第一版，“A”代表第二版，以此类推，“D”代表第五版。购买内存时，版本越好，新设备的性能就越好。
第9部分表示功耗，如果该部分为空，则表示该内存颗粒的功耗正常，该颗粒为低功耗。
第10部分代表内存封装的类型，由一个或两个字母组成。“T”代表TOSP封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA封装（UTC：8x13mm）。
第11部分代表捆绑包，由一个或两个字母组成。波什代表海力士；
第12部分代表包装材料，由一个字母组成。空白表示正常，“P”表示铅，“H”表示卤素，“R”表示铅和卤素。
一般来说，只要记住数字2、3、6、C的实际含义，就可以轻松识别采用现代DDRSDRAM内存芯片的产品。尤其是C部分编号，会清楚地告诉消费者这款内存当前的最大工作状态是多少。
一般来说，购买采用现代芯片的DDR400内存条时，最好购买的编号是“HYXXXXXXDX”，最好的编号是“D43”，因为“D”代表最新版本的DDR内存，上市时表现非常好来超频。“D43”代表的是216MHz的运行频率，当用在DDR400内存中时，“D43”实际上被简化为“D4”，具有很强的超频能力。就目前内存市场的发展及其优惠的价格来看，512MB/DDR400和DDR2/533内存是目前最值得购买的内存，应注意售后服务。