ddr4内存时序怎么看(ddr4内存时序设置)

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一、小白求问，内存时序怎么看好坏典型用户关注内存的时间频率。频率越高越好（当然还有主板和CPU支持）。DDR3的频率为800-1600MHZ，DDR4的频率为1600-2666MHZ。CAS-TRCD等延迟，9-9-9表示CAS是9个时钟周期尽可能小，里面有很多细节。

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二、ddr42400最佳时序1.
DDR4内存时序参数较好：3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V，默认为DDR42133，1.2V。通过加载XMP可以直接将频率提升到DDR4320016-16-16-。362T，高频电压为1.35V。
2.
如果ddr4内存没有动第一个时序，请不要动第一个时序。首先，您需要调整第二个时间。一般来说，通过放大tRFC和tREF可以获得更高的值。ddr4内存的特点是第一个时序的CR对第二个时序的tRTP、tRTW和tWTR影响不大。ddr4中的时序对性能影响不大，可以适当放宽以提高性能。tRRD对性能影响较大。尽管第三次计时不被注意并且经常被遗忘，但它对性能的影响更大。性能不小。特别是，不建议牺牲第三个时序来支持tRDRD和tWRWR。
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三、到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序在购买电脑内存时，大多数人都会关注内存容量和频率参数。一般来说，容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数非常重要，但是还有一个重要的参数经常被大家忽视，那就是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能有什么影响呢？本期科普单德君将带领大家了解内存的这些参数。
时间会影响内存芯片上各种正常操作之间的延迟，如果延迟超过一定限度，就会影响内存的性能。简而言之，内存时序是对内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位测量您可能会在内存模块产品页面上看到一系列用破折号分隔的数字，例如16-18-18-38，称为内存时序。基本上，因为它代表延迟，所以时序越低自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“关键时序”。
四个内存时序号对应的参数是CL、tRCD、tRP和tRAS，单位是时间周期。其中，CL（CASLatency）表示“列地址访问延迟时间，这是时序中最重要的参数”（RAStoCASDelay）表示“将内存行地址发送到列地址的延迟时间”；代表“选通脉冲预充电时间的存储器行地址”；tRAS（RASActiveTime）代表“行地址激活时间”。
看完以上内容，你是不是更困惑了？别担心，下面我们举一个简单的例子。
我们可以把内存中的数据想象成一个格子，每个格子存放不同的数据，CPU如果需要什么数据，就会发出与内存相对应的指令。
例如，CPU想要位置C3中的数据。内存收到CPU的指令后，首先要判断数据在哪一行。第二个时序参数tRCD代表这个时间，意思是内存控制器在接收到一行的命令后要等待多长时间才能访问这一行。
内存确定了数据所在的行后，如果要查找数据，就必须确定列。计时中的第一个数字是CL，它表示内存确定行数后在访问特定列之前将等待多长时间。
确定了行数和列数后，就可以准确找到目标数据了，所以CL的准确值会影响目标数据的位置，所以是最关键的时候。在内存性能中发挥重要作用的参数。
内存计时tRP的第三个参数是指定一行后等待另一行所花费的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间，通常接近前三个参数的总和。
所以，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道，现在很多内存条都可以超频，而高频率和低时序是相互冲突的，一般来说，当频率提高时，就必须牺牲时序来提高频率。比如，今年各大存储厂商发布的DDR5内存频率有所提升，但时序也比DDR4内存高很多。