内存4个时序怎么样算好

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一、内存条时序怎么看？

检查记忆棒时序的步骤如下：

1首先，如果有两个容量和频率相同的记忆棒，此时可以检查内存，可以说时间越低越好，比如有一个CL14和一个CL16，那么CL14就比较好。

2.其次，当你需要给电脑添加内存条时，你需要检查你的电脑原来的DDR，比如DDR4就比DDR3好很多。

3最后例如8G加8表示内存容量为8G。一般情况下，会先检查运行内存容量。特别是当您需要安装另一台时，一定要检查您的计算机的容量，并在添加另一台时选择相同的内存。

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二、内存时序高好还是低好当内存频率相同时，lion参数的值越低通常意味着性能越好。例如，对于1600MHz内存，默认时序为11-11-11，比9-9-9慢。对于超频爱好者来说，除了提升频率外，还会选择时序优化内存，以进一步提升速度。
恐惧记忆是主要的记忆因素。延迟这些参数可以设置为BIOS设置或内存模块的SPD信息。例如，“2-2-2-5”等JEDEC标准之外的低延迟内存模块在相同频率下可以提供比“3-4-4-8”更高的性能，提升约3至5个百分点。
具体来说，tCAS是指地址列所需的时钟周期，tRCD是地址行与地址列之间的时间差，tRP是所需的指令时间，TRAS是指令的总时间。全部数据。存储过程。理想情况下，tRAS应大于tRCD+tCAS+2，以保证数据传输的可靠性和效率。

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三、内存时序高低有什么区别？

低内存时序是好的。

存储器时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。tRCD只是一个估计值，这就是为什么稍微改变这个值不会显着改变存储器的性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址被激活的时间，可以简单理解为内存写入或读取数据的时间。它通常接近前三个参数的总和。