ddr4内存超频时序(ddr4内存超频到多少)

DDR4 内存超频时序 1. 时序：指内存读取和写入数据的延迟时间，以时钟周期为单位。时序越小，延迟时间越短，内存性能越好。 2. CAS 延迟 (CL)：指内存控制器发送列地址信号 (CAS) 到内存模块并读取数据之间的延迟时间。这是内存时序中最重要的指标，通常以 CL-tRRD-tRCD-tRP-tRAS 的形式表示。 3. RAS-to-CAS 延迟 (tRCD)：指内存控制器发送行地址信号 (RAS) 到发送 CAS 信号之间的延迟时间。 4. Row Precharge Time (tRP)：指关闭一个内存行并打开另一个内存行之间的延迟时间。 5. Row Active Time (tRAS)：指一个内存行被激活后可以连续访问数据的最长时间。 6. Command Rate (CR)：指内存控制器发送命令的速率。 7. Write Recovery Time (tWR)：指写入数据后，内存控制器可以再次写入数据的延迟时间。 8. Read-to-Write Delay (tRDWR)：指从读取数据到写入数据的延迟时间。 9. Write-to-Read Delay (tWRRD)：指从写入数据到读取数据的延迟时间。 10. Refresh Interval (tREFI)：指内存控制器刷新内存芯片的间隔时间。