内存clk周期选几(内存4000时序一般多少)

TRFC值属于第二个小参数，代表刷新间隔周期。该值越小越好。

DDR3内存通常为90-120。低于80，可能会造成不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS被称为第一时序，对粒子性能影响最明显、最重要。

首先，内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟。转动。

显然，计算机要有序运行，对创建时间、安装时间、停用时间以及各种操作信号的相互关系都有着严格的要求。对运行信号进行时间控制称为时序控制。只有严格的时序控制才能保证不同功能部件有机的计算机系统。

扩展信息：

影响内存时序的因素：

将内存时序转换为实际延迟时，最要注意的一点单位是时钟周期。如果不知道时钟周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。

例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每周期0.75ns）可能使用更大的CL=9，但最终得到的6.75ns绝对延迟更短。

现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（稳定性降低的风险），或者在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率而不是访问时间的限制。通过交叉存取多个内部SDRAM组，可以以峰值速率连续传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。具体来说，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常比上一代具有更长的延迟。

即使内存访问延迟增加，增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。

参考来源：-时序内存

参考来源：时序控制