内存cl值对照表(内存条cl值是大好还是小好)

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一、内存时序CL值对于内存超频，这通常涉及调整内存时序，本文记录了时序。
时序就是内存中的CL值，一般用四个不带单位的纯数字来表示，除以-。例如5-4-4-12
第一个数字代表CAS延迟时间，也就是CL值，内存访问数据需要的延迟时间也就是多长时间内存必须在收到第一条指令后等待才能继续执行。这是内存超频时最重要的指标。
第二位是RAStoCAS延迟，内存行地址发送到列地址的延迟时间
第三位是RASPrechiarge延迟，预充电时间为内存行地址脉冲
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第4位ActtoPrechiarge延迟，内存行地址选择延迟
时序越低，颗粒质量越好，超频潜力越大。内存时序会随着频率的增加而增加，内存延迟可以使用以下公式计算：内存延迟=时序(CLx2000)/内存频率。
DDR4：(CL15*2000)/2133=14ns
因此内存时序会随着频率的增加而增加，但最终内存延迟并不会太大改变。当频率相同时，时序越低，延迟越小。同样，当时序相同时，频率越高，延迟越低。

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二、内存2400CL10和2133CL9哪个快?CL9或10是内存颗粒的速度。CL9代表延迟CL=9。例如时间9-9-9-24
比较不同主频级别下内存颗粒的速度是没有意义的。。。。当然，对于相同主频的内存，较低的grain延迟比较高的grain延迟要好，但当你使用它时，你根本不会注意到差异。。。
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单内存对比，显然2400MHZ比2133MHZ快。。。
但这也取决于CPU的支持。如果你的CPU只支持1600MHZ，并且不超频，那么即使你使用2133或2400MHZ内存，也只能运行在1600MHZ。可以说这是一种浪费。