当前位置:首页 > 内存 > 正文

内存cl值代表什么(内存cl值是什么)

  • 内存
  • 2024-06-10 04:32:58
  • 8761

一、内存参数中CL是什么意思?CL是CASLatency的缩写,通常翻译为CAS延迟。是北桥(Intel)/CPU(AMD最新的CPU)读取内存数据时的一个参数。该参数对存储性能影响比较大。
CAS是内存信号之一。读取内存的具体过程如下:有两个信号:行(RAS#)和列(CAS#),类似于我们的方格纸线条,读取内存数据时,将RAS#信号设置为低电平。内存地址线上的地址对应于坐标纸上该线的位置。信号设置为低电平,对应于确定方格纸上的列。这样,就可以在方格纸上确定该格子的数据Cycles(CL),存储器开始读取相应地址的数据。
这样,CL就是从CAS#开始读取内存数据的时钟数。对于相同主频的内存(如DDR333)来说,CL越小,速度越高,不同主频的内存(如DDR333和DDR400)则没有可比性。
可惜不能发图,不然可以很直观的看到。
数据输出(读)
选择了列地址后,具体的存储单元已经确定,剩下的就是通过数据I/O通道将数据输出到数据(DQ)内存总线处于活动状态。但CAS下发后,仍然需要一定的时间才能输出数据。从发出CAS和读命令到第一个数据输出的周期定义为CL(CASLatency,CAS延迟)。由于CL仅在读取时发生,因此CL也称为读取延迟(RL,ReadLatency)。CL的单位与tRCD相同,时钟周期数。具体耗时由时钟频率决定。
但CL期满后,CAS将不再交付至存储单元。事实上,和RAS一样,CAS也是立即到达,只是CAS的响应时间更快。为什么?假设芯片的位宽为n位,列数为c,则一个行地址需要驱动n×c个存储体,一个列地址只需驱动n个存储体。然而,由于存储体中晶体管的响应时间,数据仍然不可能与CAS在同一上升沿触发,必须延迟至少一个时钟周期。
CL的值不能超过芯片的设计规格,否则会导致内存不稳定甚至无法启动(超频玩家应该都经历过),并且在读取数据之前可能会暂时失败改变了。CL周期是在启动初始化过程中的MRS阶段设置的。用户一般可以在BIOS中进行自定义。然后BIOS在开机时通过A4-A6地址线控制北桥芯片改变MR中的CL寄存器中的信息。


二、CL9,cl1011是指内存时序?那么cl多少比较好?cl指什么功能特点?CL9、cl1011指的是内存时序。
内存延迟越短,计算机从内存读取数据的速度就越快,计算机的其他性能也就越高。
CL代表CASLatency,是指内存访问数据所需的延迟时间,简单来说就是内存接收到CPU指令后的响应速度。常见的参数值为2和3。数字越小,响应时间越短。
通常,我们使用4个连续的阿拉伯数字来表示内存延迟,例如2-2-2-5。其中,第一个数字最为重要。它代表CASLatency,即内存访问数据所需的延迟时间。第二个数字代表RAS-CAS延迟,接下来的两个数字分别代表RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。第四个通常是其中最大的。