内存循环周期tRAS

---

一、内存周期是什么意思？内存刷新周期存取周期？所谓内存周期就是内存的时序，是内存工作的四个过程的单位时间。一般存储在记忆棒的SPD上。2-2-2-84数字的含义是：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间。它是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值。。RAS-to-CASDelay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲预充电时间。Row-activeDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。

---

二、到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序在购买电脑内存时，大多数人都会关注内存的容量和频率参数。一般来说，容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数非常重要，但是还有一个重要的参数经常被人们忽视，那就是内存时间。那么什么是内存时序以及它对内存性能有什么影响呢？本期科普杂志单德君就带大家来了解一下这个内存参数。
时间会影响存储芯片上不同常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度，就会影响内存性能。简而言之，内存时序是对内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。您可能会在内存模块的产品页面上看到一串用破折号分隔的数字，例如16-18-18-38。称为记忆时间。本质上，由于它们代表延迟，时间越短自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“黄金时段”。
该参数对应四个存储时间号CL、tRCD、tRP、tRAS，单位为时间段。其中，CL（CASLatency）的意思是“访问列地址的延迟，这是时间上最重要的参数”；tRCD(RAStoCASDelay)表示“内存行地址传输到列地址的延迟时间”；表示“存储器行地址选通脉冲重新加载时间”；tRAS(RASActiveTime)表示“行地址激活时间”。
看完上面的内容，你是不是感觉更困惑了？别担心，下面我们举一个简单的例子。
我们可以将内存中的数据存储为一个网格，每个方格存储不同的数据，这些数据会给内存发出相应的指令。
例如：CPU想要位置C3处的数据。内存收到CPU的命令后，首先要判断数据在哪一行。时间的第二个参数tRCD代表这个时间，表示内存控制器从内存接收到命令后需要等待多长时间。访问该行之前的行。
内存识别出包含数据的行后，如果要查找数据，就必须识别出列。时间中的第一个数字是CL，表示内存确定行号后要等待多长时间才能访问特定列。
确定行数和列数后，就可以准确找到目标数据，所以CL就是准确值。任何更改都会影响目标数据的位置，因此这最重要的值。时间。对内存性能起决定性作用的参数。
TRP第三个参数记忆时间是识别一条线路后等待另一条线路所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据所花费的时间。它通常接近前三个参数的总和。
因此，在保证稳定性的基础上，内存时间越低越好。但我们知道，现在很多内存条都可以超频，高频和低时序是相互冲突的。一般来说，随着频率的增加，必须牺牲时间。如果时间足够短，则很难增加它。频率。比如，今年各大内存厂商推出的DDR5内存频率确实有所提升，但时序也比DDR4内存高很多。

---

三、tRAS对内存影响提高稳定性也会缩短其寿命。
如果优化的话，会降低内存性能，不会对使用寿命产生负面影响。一般来说，使用多个内存芯片会降低性能，而使用性能较低的内存会提高其稳定性。如果你是为了提高性能而降低这些值，那么最好不要这样做，不仅达不到预期的效果，而且这还会缩短使用寿命。
内存是计算机中的重要部件之一，是连接中央处理器的桥梁。