内存行周期(内存行周期时间大好还是小好)

---

一、内存行刷新周期时间怎么设置DRAMREFCycleTime(tRFC)：SDRAM行刷新周期时间超过2000MHz，建议将此值放宽至88或更大。
DRAMWRITERecoveryTime(tWR)：写恢复延迟，该值对内存带宽影响较小，通常该参数可设置为8-12。
DRAMREADtoPRETtime(tRTP)：内存预付费时间，通常设置在8-12之间。
DRAMFOURACTWINTtime(tFAW)：该选项通常设置为auto，对性能和稳定性影响不大。
DRAMBack-To-BackCASDelay：值越低，内存性能越好，在4-6之间。

---

二、内存周期是什么意思？内存刷新周期存取周期？所谓内存周期就是内存运行时间，是四个内存进程的一个时间单位。它通常存储在SPD存储卡上。数字2-2-2-84的含义如下：CASLatency（简称CL）是CAS内存的延迟时间。这是重要的内存参数之一。有些品牌的内存在标签上印有CL值。内存模块。RAS-to-CASDelay(tRCD)，将内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲的预充电时间。Row-activeDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。

---

三、内存条软件周期内存模块的软件周期一般是指内存模块的生命周期，内存模块的使用寿命一般都相当长。基本上五年之内，如果没有特殊情况，是可以正常使用的，但是随着时间的推移，各种软件会占用更多的内存，导致以前的记忆棒无法支持相关操作。软件，从而删除。内存时间以时钟周期为单位测量您可能会在内存模块产品页面上看到一系列由破折号分隔的数字，例如16-18-18-38。基本上，因为它代表延迟，所以时序越低自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“关键时序”。